ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Emerging Resistive Switching Memories

دانلود کتاب حافظه های سوئیچینگ مقاومتی در حال ظهور

Emerging Resistive Switching Memories

مشخصات کتاب

Emerging Resistive Switching Memories

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: SpringerBriefs in Materials 
ISBN (شابک) : 9783319315706, 9783319315720 
ناشر: Springer International Publishing 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 101 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 50,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب حافظه های سوئیچینگ مقاومتی در حال ظهور: نانوتکنولوژی، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، ساختارهای حافظه



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 6


در صورت تبدیل فایل کتاب Emerging Resistive Switching Memories به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب حافظه های سوئیچینگ مقاومتی در حال ظهور نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب حافظه های سوئیچینگ مقاومتی در حال ظهور



این مختصر توضیح می‌دهد که چگونه تغییر غیرفرار مقاومت، به دلیل استفاده از ولتاژ الکتریکی، امکان ساخت دستگاه‌های حافظه دیجیتال جدید را فراهم می‌کند. نویسنده فیزیک دستگاه ها را توضیح می دهد و توصیفی ملموس از مواد درگیر و همچنین ویژگی های اساسی فناوری ارائه می دهد. او چگونگی تأثیر به دام انداختن بار، انتقال بار و تشکیل رشته رسانا بر دستگاه های حافظه سوئیچینگ مقاومتی را توضیح می دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This brief describes how non-volatile change of the resistance , due to the application of electric voltage allows for fabrication of novel digital memory devices. The author explains the physics of the devices and provides a concrete description of the materials involved as well as the fundamental properties of the technology. He details how charge trapping, charge transfer and conductive filament formation effect resistive switching memory devices.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-viii
Introduction....Pages 1-12
RRAMs with Organic/Polymer Films Blended with Nanoparticles....Pages 13-28
RRAMs with Hybrid Organic–Inorganic Nanocomposites....Pages 29-42
RRAMs with Organic Donor and Acceptor....Pages 43-61
Nanoionic RRAMs....Pages 63-76
RRAMs with One-Dimensional and Two-Dimensional Materials....Pages 77-93




نظرات کاربران