Electronic device architectures for the nano-CMOS era: from ultimate CMOS scaling to beyond CMOS devices

دسته بندی: ابزار
ویرایش:  
نویسندگان: Simon Deleonibus. Simon Deleonibus  
سری:  
ISBN (شابک) : 9814241288, 9789814241281 
ناشر: Pan Stanford Publishing 
سال نشر: 2008 
تعداد صفحات: 440 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 24 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 34,000

این کتاب یک نمای کلی پیشرفته توسط محققان بین المللی شناخته شده در مورد معماری دستگاه های الکترونیکی مورد نیاز برای دوره NanoCMOS و فراتر از آن ارائه می دهد. چالش‌های مربوط به مقیاس‌بندی نانوالکترونیک CMOS از طریق گزینه‌های مختلف Core CMOS و Memory Devices در قسمت اول کتاب مورد بررسی قرار گرفته‌اند. بخش دوم به بررسی مفاهیم دستگاه جدید برای نانوالکترونیک فراتر از CMOS می‌پردازد. محدودیت های اساسی CMOS هسته چیست، و آیا می توانیم با معرفی مواد یا فرآیندهای جدید، مقیاس بندی را بهبود ببخشیم؟ آیا معماری‌های جدید با استفاده از SOI، چند دروازه‌ها یا چند کاناله باعث بهبود مبادله بین عملکرد و مصرف انرژی و کاهش محدودیت‌های یکپارچه‌سازی مواد جدید می‌شوند؟ آیا محاسبات کوانتومی می تواند جایگزین پروتکل های مبتنی بر باینری برای افزایش قدرت پردازش اطلاعات شود؟ به این سؤالات و سؤالات دیگر در این کتاب پاسخ داده شده است.

محتوا: CMOS Nanoelectronics. رسیدن به پایان نقشه راه: CMOS اصلی: محدودیت‌های فیزیکی و فناوری دستگاه‌های NanoCMOS تا انتهای نقشه راه و فراتر از آن (S Deleonibus، O Faynot، B ​​de Salvo، T Ernst، C Le Royer، T Poiroux & M Vinet). دستگاه‌های پیشرفته CMOS در حجم و SOI: فیزیک، مدل‌سازی و مشخصه‌سازی (T Poiroux & G Le Carval). ساختار دستگاه ها و ویژگی های حمل و نقل حامل CMOS پیشرفته با استفاده از کانال های با تحرک بالا (S Takagi، T Tezuka، T Irisawa، S Nakaharai، T Numata، K Usuda، N Sugiyama، M Shichijo، R Nakane و S Sugahara). دی الکتریک گیت با کاپا بالا (H Wong، K Shiraishi، K Kakushima & H Iwai)؛ ساخت اتصال منبع و تخلیه فوق العاده کم عمق (B Mizuno); طرح های جدید اتصال: پایان مس، اتصالات نوری؟ (S Laval، L Vivien، E Cassan، D Marris-Morini و J-M Fédéli); دستگاه های حافظه: فناوری ها و مسائل کلیدی طراحی برای دستگاه های حافظه (K Kim & G Jeong). فن آوری های FeRAM و MRAM (Y Arimoto)؛ حافظه های ذخیره سازی شارژ پیشرفته: از نانو کریستال های سیلیکونی تا دستگاه های مولکولی (B De Salvo & G Molas). مفاهیم جدید برای نانوالکترونیک مسیرهای جدید اضافه شده به CMOS فراتر از پایان نقشه راه: دستگاه ها و برنامه های تک الکترونی (J Gautier، X Jehl و M Sanquer). ویژگی های الکترونیکی تک لایه های آلی و دستگاه های مولکولی (D Vuillaume); کربن نانولوله الکترونیک (V Derycke، A Filoramo & J-P Bourgoin)؛ Spin Electronics (K-J Lee & S H Lim); بلند مدت: پردازش اطلاعات کوانتومی و ارتباطات (P Jorrand).

This book gives a state-of-the-art overview by internationally-recognized researchers of the electronic device architectures required for the NanoCMOS era and beyond. Challenges relevant to the scaling of CMOS Nanoelectronics are addressed through the different Core CMOS and Memory Devices options in the first part of the book. The second part reviews the New device Concepts for Nanoelectronics Beyond CMOS. What are the fundamental limits of core CMOS, and can we improve the scaling by the introduction of new materials or processes? Will the new architectures using SOI, multigates, or multichannels improve the trade-off between performance and power consumption and relax the constraints of new material integration? Can quantum computing replace binary-based protocols to enhance the information processing power? These questions and others are answered in this book.

Contents: CMOS Nanoelectronics. Reaching the End of the Roadmap: Core CMOS: Physical and Technological Limitations of NanoCMOS Devices to the End of the Roadmap and Beyond (S Deleonibus, O Faynot, B de Salvo, T Ernst, C Le Royer, T Poiroux & M Vinet); Advanced CMOS Devices on Bulk and SOI: Physics, Modeling and Characterization (T Poiroux & G Le Carval); Devices Structures and Carrier Transport Properties of Advanced CMOS using High Mobility Channels (S Takagi, T Tezuka, T Irisawa, S Nakaharai, T Numata, K Usuda, N Sugiyama, M Shichijo, R Nakane & S Sugahara); High-kappa Gate Dielectrics (H Wong, K Shiraishi, K Kakushima & H Iwai); Fabrication of Source and Drain Ultra Shallow Junction (B Mizuno); New Interconnect Schemes: End of Copper, Optical Interconnects? (S Laval, L Vivien, E Cassan, D Marris-Morini & J-M Fédéli); Memory Devices: Technologies and Key Design Issues for Memory Devices (K Kim & G Jeong); FeRAM and MRAM Technologies (Y Arimoto); Advanced Charge Storage Memories: From Silicon Nanocrystals to Molecular Devices (B De Salvo & G Molas); New Concepts for Nanoelectronics. New Paths Added to CMOS Beyond the End of the Roadmap: Single Electron Devices and Applications (J Gautier, X Jehl & M Sanquer); Electronic Properties of Organic Monolayers and Molecular Devices (D Vuillaume); Carbon Nanotube Electronics (V Derycke, A Filoramo & J-P Bourgoin); Spin Electronics (K-J Lee & S H Lim); The Longer Term: Quantum Information Processing and Communication (P Jorrand).