Electron Spectroscopy of Crystals

این کتاب به‌عنوان یک مونوگراف در نظر گرفته شده است و مجموعه‌ای به‌روز از اطلاعات مربوط به استفاده از روش تروسکوپی طیف فوتوالکترون پرتو ایکس در مطالعه ساختار الکترونی کریستال‌ها و همچنین اطلاعات شخصی را نشان می‌دهد. تفسیر موضوع توسط نویسندگان به طور طبیعی، کتاب در فصل 1 با خلاصه ای از مبانی روش، روابط اساسی، اصول عملکرد، و ارائه مقایسه ای از ویژگی ها و عملکردهای رایج ترین ابزارهای ESCA (از سازهای کلاسیک) شروع می شود. واریان، مک فرسون، هیولت پاکارد و IEEE-تا آخرین مدل توسعه یافته توسط پروفسور سیگبان در اوپسالا)، و با بحث در مورد برخی از مشکلات دشواری که آزمایشگر باید با آن روبرو شود، مانند کالیبراسیون طیف ها، آماده سازی نمونه ها ادامه می دهد. و ارزیابی عمق فرار الکترونها. فصل دوم به تئوری انتشار نور از جامدات خط کریستالی اختصاص دارد. بحثی در مورد روش‌های هارتری-فوک و هارتی-فوک اسلاتر برای محاسبه سطوح انرژی پیوند در سیستم‌های چند الکترونیکی ارائه شده است و لزوم گنجاندن در تئوری هر دو اثر نسبیتی و آرامش استدلال می‌شود.

This book is conceived as a monograph, and represents an up-to-date collection of information concerning the use of the method of X-ray photoelectron spec­ troscopy in the study of the electron structure of crystals, as well as a personal interpretation of the subject by the authors. In a natural way, the book starts in Chapter 1 with a recapitulation of the fundamentals of the method, basic relations, principles of operation, and a com­ parative presentation of the characteristics and performances of the most com­ monly used ESCA instruments (from the classical ones-Varian, McPherson, Hewlett Packard, and IEEE-up to the latest model developed by Professor Siegbahn in Uppsala), and continues with a discussion of some of the difficult problems the experimentalist must face such as calibration of spectra, prepara­ tion of samples, and evaluation of the escape depth of electrons. The second chapter is devoted to the theory of photoemission from crystal­ line solids. A discussion of the methods of Hartree-Fock and Hartree-Fock­ Slater for the calculation of bonding energy levels in multielectronic systems is presented, and the necessity of including in the theory both relativistic and relaxation effects is argued.