دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: T. Inoguchi (auth.), Professor Shigeo Shionoya Ph.D., Professor Hiroshi Kobayashi Ph.D. (eds.) سری: Springer Proceedings in Physics 38 ISBN (شابک) : 9783642934322, 9783642934308 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1989 تعداد صفحات: 407 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب الکترولومینسانس: مجموعه مقالات چهارمین کارگاه بین المللی توتوری، ژاپن، 11 تا 14 اکتبر 1988: اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاه های نوری، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، فیزیک ماده متراکم
در صورت تبدیل فایل کتاب Electroluminescence: Proceedings of the Fourth International Workshop Tottori, Japan, October 11–14, 1988 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب الکترولومینسانس: مجموعه مقالات چهارمین کارگاه بین المللی توتوری، ژاپن، 11 تا 14 اکتبر 1988 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
چهارمین کارگاه بین المللی الکترولومینسانس (EL-88) در هتل هالیدی، توتوری، ژاپن، 11 تا 14 اکتبر 1988 برگزار شد. این کارگاه توسط کمیته تحقیقاتی 125 در زمینه تبدیل متقابل بین نور و الکتریسیته، ژاپن حمایت شد. انجمن ترویج علم، با همکاری SID (انجمن نمایش اطلاعات) بخش ژاپن، استان توتوری، انجمن فناوری صنعتی توتوری، و بنیاد پیشرفت علم بینالمللی (FAIS). کارگاه EL-88 ادامه مجموعه کارگاه های بین المللی بود که به طور متوالی در لیژ (بلژیک) در سال 1980، بد استور (DDR) در سال 1983 و در وان اسپرینگ (اورگان، ایالات متحده آمریکا) در سال 1986 برگزار شد. دانشمندان و دانشمندان را گرد هم آورد. مهندسانی از دانشگاه ها و صنعت که علاقه مشترکی به بحث در مورد الکترولومینسانس و موضوعات مرتبط داشتند. تعداد شرکت کنندگان به 253 نفر رسید. 49 از خارج (10 کشور) و 204 از ژاپن. این تقریباً چهار برابر بیشتر از کارگاه قبلی در سال 1986 است که منعکس کننده توسعه سریع و پیشرفت اخیر تحقیقات الکترولومینسانس است.
The Fourth International Workshop on Electroluminescence (EL-88) was held at the Hotel Holiday, Tottori, Japan, October 11-14, 1988. This workshop was sponsored by the 125 Research Committee on Mutual Conversion between Light and Electricity, Japan Society for the Promotion of Science, in cooperation with SID (Society for Infonnation Display) Japan Chapter, Tottori Prefecture, the Tot tori Industrial Technology Association, and the Foundation for Advancement of International Science (FAIS). The workshop EL-88 was a continuation of the series of international work shops held successively at Liege (Belgium) in 1980, Bad Stuer (DDR) in 1983, and at Wann Springs (Oregon, USA) in 1986. It brought together scientists and engi neers from universities and industry who shared a common interest in discussing electroluminescence and related topics. The number of participants reached 253; 49 from abroad (10 countries) and 204 from Japan. This is almost four times as many as in the previous workshop in 1986, reflecting the recent rapid development and progress of electroluminescence research.
Front Matter....Pages I-XV
Front Matter....Pages 1-1
Retrospect and Prospect on Research and Development of Electroluminescent Panels....Pages 2-7
Front Matter....Pages 9-9
Developments in the Theory of Electroluminescence Mechanisms....Pages 10-15
Auger Effect in Semiconductors: Why Does It Matter for Electroluminescence?....Pages 16-23
The Impact Cross Section of Electroluminescence Centers....Pages 24-31
Impact Excitation Cross Section in Electroluminescence....Pages 32-35
Electroluminescent Mechanisms of Rare-Earth-Doped ZnS Thin Films....Pages 36-43
Time Resolved Emission Spectra in ZnS Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 44-47
Excitation Mechanism Based on Field-Induced Delocalization of Luminescent Centers in CaS:Eu 2+ and SrS:Ce 3+ Thin-Film Electroluminescent Devices....Pages 48-55
Excitation Mechanism in White-Light Emitting SrS:Pr, K and SrS:Ce, K, Eu Thin-Film Electroluminescent Devices....Pages 56-59
Novel Step Impact Electroluminescent Devices....Pages 60-64
Preparation of a Low Voltage ZnS Thin Film Electroluminescent Device Using Injection of Hot Electrons into the Emitting Layer....Pages 65-69
Front Matter....Pages 71-71
Secondary Light Output from ZnS:Mn Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 72-76
Thermally Stimulated Currents in Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 77-80
Measurement of Trap Levels in Electroluminescent Devices by Photon-Released Residual Charges....Pages 81-84
Influence of the Mn Concentration and the Level of Excitation on Efficiency of ZnS:Mn Devices....Pages 85-88
Characterization of Isolated Mn 2+ Ions in ZnS:Mn Thin Film....Pages 89-92
Bound-Excitonic Emissions in Undoped and Mn-Doped ZnS Single Crystals....Pages 93-97
About the Microstructure of Luminescent Centers in SiO x and ZnS Films Doped with Tb and Mn Fluorides....Pages 98-100
On the Stability of Rare Earth Centers in II–VI Compounds....Pages 101-104
The Relation of Thin Film Electroluminescence and Photoluminescence Excitation Spectra....Pages 105-108
Front Matter....Pages 71-71
The Dependence of Near Band Edge Electro- and Photoluminescence on Purity of Starting Materials in ZnSe Crystals....Pages 109-112
Photoluminescence of Zinc-Sulfo-Selenide Single Crystals Grown by Sublimation Method....Pages 113-115
CdS-ZnS Superlattice Electroluminescent Device Prepared by Hot Wall Epitaxy....Pages 116-118
An Electroluminescent Device Using Sintered Manganese-Doped Zinc Sulfide Phosphor Ceramics....Pages 119-122
Role of Sulfur Vacancies in Luminescence of Pure CaS....Pages 123-126
Structural Disorders in Gd 2 O 2 S:Tb Phosphors....Pages 127-130
Front Matter....Pages 131-131
Thin Film Electroluminescent Phosphors for Patterned Full-Color Displays....Pages 132-138
The TbOF Complex Center and the Brightness of ZnS Thin-Film Green Electroluminescent Devices....Pages 139-144
Doping Conditions of Tb, F Luminescent Centers in ZnS: Tb, F Films — Effects of Fabrication Methods on Doping Conditions....Pages 145-148
Effects of Preparation and Operation Conditions on Electroluminescence Spectra of ZnS:TbF 3 Film Structures....Pages 149-152
Green AC Electroluminescence in ZnS Thin Films Doped with Tb, Er and Ho Ions and Concentration Quenching Models....Pages 153-156
Pulse-Excited Characteristics of Electroluminescent Device Based on ZnS:Tb, F Thin Films....Pages 157-160
AC Electroluminescence of Ho-Implanted ZnS Thin Films....Pages 161-163
High-Luminance ZnS:Sm, F Thin-Film Electroluminescent Devices Using Ferroelectric PbTiO 3 Thin-Film....Pages 164-166
Electroluminescent Devices With CaS:Eu 2+ Active Layer Grown by R.F. Reactive Sputtering....Pages 167-170
Improvement in Electro-Optical Characteristics of CaS:Eu Electroluminescent Devices....Pages 171-175
ZnS-like Behaviour of Efficient CaS:Eu Electroluminescent Devices....Pages 176-179
Bright SrS TFEL Devices Prepared by Multi-Source Deposition....Pages 180-182
Sulphur Defects and Deep Levels in SrS:Ce Thin Films....Pages 183-186
Sr 1−x Zn x S:Ce, F Phosphor for Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 187-190
Front Matter....Pages 131-131
SrSe:Ce Thin Film Electroluminescent Device....Pages 191-194
Electroluminescence of Rare-Earth Activated SrS Thin-Films....Pages 195-198
Multi-Color Electroluminescent Devices Utilizing SrS:Pr, Ce Phosphor Layers and Color Filters....Pages 199-202
Front Matter....Pages 203-203
Electroluminescent Materials Grown by Atomic Layer Epitaxy....Pages 204-209
The Role of Chemical Vapour Deposition in the Fabrication of High Field Electroluminescent Displays....Pages 210-217
Multi-Source Deposition Method for ZnS and SrS Thin-Film Electroluminescent Devices....Pages 218-223
Efficient ZnS:Mn Electroluminescent Films Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition....Pages 224-227
Chemical Vapor Deposition of Thin Films for ACEL....Pages 228-231
AC Thin-Film ZnS:Mn Electroluminescent Device Prepared by Intense Pulsed Ion Beam Evaporation....Pages 232-235
Front Matter....Pages 237-237
Review of Flat Panel Displays: Electroluminescent Displays, Liquid Crystal Displays, Plasma Displays, etc.....Pages 238-245
Design Rules for Thin Film Electroluminescent Display Panels....Pages 246-253
Power Consumption of Thin-Film Electroluminescent Matrix Display....Pages 254-258
TFEL Matrix Display Design Rules Based on a 3 Part Electrical Model....Pages 259-263
Degradation Processes in Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 264-272
ZnS:Mn Electroluminescent Devices with High Performance Using SiO 2 /Ta 2 O 5 /SiO 2 Insulating Layer....Pages 273-276
Thin Film Photoconductor-Electroluminescent Memory Display Devices....Pages 277-285
Tunable Color Electroluminescence Display Operated by Pulse Code Modulation....Pages 286-290
Optical Behaviour of Electroluminescent Devices....Pages 291-295
Current Filaments in ZnS:Mn DC Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 296-300
Cathode-Zinc Sulphide Barrier Heights and Electron Injection in Direct Current Thin Film Electroluminescent Devices....Pages 301-305
Front Matter....Pages 237-237
Low Voltage Driven Electroluminescent Devices with Manganese-Doped Zinc Sulfide Thin Film Emitting Layer Grown on Insulating Ceramics by Metal Organic Chemical Vapor Deposition....Pages 306-309
Sound Emitting Thin Film Electroluminescent Devices Using Piezoelectric Ceramics as Insulating Layer....Pages 310-313
Characteristics of ZnO:Al Transparent Conductive Films....Pages 314-317
Recent Developments and Trends in Thin-Film Electroluminescent Display Drivers....Pages 318-323
Bidirectional Push-Pull Symmetric Driving Method of Thin Film Electroluminescent Display....Pages 324-330
Front Matter....Pages 331-331
Analysis of the Lifetime of Powder Electroluminescent Phosphors....Pages 332-336
On the Mechanism of “Forming” and Degradation in DCEL Panels....Pages 337-341
Application of Sol-Gel Technique to the Preparation of AC Powder Electroluminescent Device....Pages 342-345
Multicolor ac-Electroluminescent Display Panel Using Red Electroluminescent Phosphors....Pages 346-349
Electroluminescence in Calcium Sulphide....Pages 350-354
Front Matter....Pages 355-355
Organic Electroluminescent Diodes....Pages 356-357
Electroluminescence in Vacuum-Deposited Organic Thin Films....Pages 358-361
Conductivity Control of ZnSe Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy and Its Application for Injection Electroluminescence....Pages 362-366
Characteristics of an Efficient ZnS Blue Light-Emitting Diode with a High-Resistivity ZnS Layer Grown by Metalorganic-Chemical-Vapour-Deposition....Pages 367-370
Electron Injection and Electroluminescence in Graded II–VI Compound Hetero-Junctions....Pages 371-375
Free Exciton Emission in ZnS x Se 1−x MIS Diodes with High Pulse Current Density....Pages 376-378
Electroluminescence of ZnSe:Mn MS Diodes in the High Electric Field....Pages 379-381
Photo- and Electro-Luminescence of Rare Earth (Er, Yb)-Doped GaAs and InP Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition....Pages 382-385
Ultraviolet Light-Emitting Diode of Cubic Boron Nitride PN Junction....Pages 386-389
Electroluminescence Spectrum of Manganese-Doped CuAlS 2 ....Pages 390-393
Back Matter....Pages 395-396