دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization
دانلود کتاب اثر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: مشخصه نوری و فوتوترمال
مشخصات کتاب
Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization
ویرایش:
نویسندگان: Constantinos Christofides and Gérard Ghibaudo (Eds.)
سری: Semiconductors and Semimetals 46
ISBN (شابک) : 0127521461, 9780080864433
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1997
تعداد صفحات: 335
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 15 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 50,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Optical and Photothermal Characterization به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اثر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: مشخصه نوری و فوتوترمال نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب اثر اختلال و نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون: مشخصه نوری و فوتوترمال
نقص در نیمه هادی های کاشته شده با یون مهم است و احتمالاً با کاهش دمای بازپخت با نسل های متوالی IC اهمیت بیشتری پیدا خواهد کرد. روش‌های جدید ایمپلنت، مانند کاشت MdV، انواع جدیدی از عیوب را ایجاد می‌کند که منشأ و ویژگی‌های بازپختی آنها باید بررسی شود. انتشارات در این زمینه عمدتاً بر روی تأثیرات کاشت یون بر روی مواد و اصلاح در لایه کاشته شده پس از بازپخت در دمای بالا متمرکز است. ویراستاران این جلد و جلد 45 بر روی فیزیک سینتیک بازپخت لایه آسیب دیده تمرکز می کنند. مروری بر تکنیک‌های توصیف و مقایسه انتقادی اطلاعات در مورد سینتیک بازپخت نیز ارائه شده است. ویژگی‌های کلیدی* ارائه دانش اولیه در مورد عیوب ناشی از کاشت یون * تمرکز بر مکانیسم‌های فیزیکی بازپخت نقص * از ابزارهای مشخصه الکتریکی، فیزیکی و نوری برای نیمه‌هادی‌های پردازش‌شده استفاده می‌کند. ابزاری برای توصیف و حذف آنها
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Defects in ion-implanted semiconductors are important and will likely gain increased importance as annealing temperatures are reduced with successive IC generations. Novel implant approaches, such as MdV implantation, create new types of defects whose origin and annealing characteristics will need to be addressed. Publications in this field mainly focus on the effects of ion implantation on the material and the modification in the implanted layer after high temperature annealing. The editors of this volume and Volume 45 focus on the physics of the annealing kinetics of the damaged layer. An overview of characterization tehniques and a critical comparison of the information on annealing kinetics is also presented. Key Features* Provides basic knowledge of ion implantation-induced defects* Focuses on physical mechanisms of defect annealing* Utilizes electrical, physical, and optical characterization tools for processed semiconductors* Provides the basis for understanding the problems caused by the defects generated by implantation and the means for their characterization and elimination
فهرست مطالب
Content:
Edited by
Page ii
Semiconductors and Semimetals
Page iii
Copyright Page
Page iv
List of Contributors
Pages xi-xii
Foreword
Pages xiii-xvi
Constantinos Christofides, Gérard Ghibaudo
Chapter 1 Ellipsometric Analysis Original Research Article
Pages 1-37
M. Fried, T. Lohner, J. Gyulai
Chapter 2 Transmission and Reflection Spectroscopy on Ion Implanted Semiconductors Original Research Article
Pages 39-71
Antonios Seas, Constantinos Christofides
Chapter 3 Photoluminescence and Raman Scattering of Ion Implanted Semiconductors. Influence of Annealing Original Research Article
Pages 73-114
Andreas Othonos, Constantinos Christofides
Chapter 4 Photomodulated Thermoreflectance Investigation of Implanted Wafers. Annealing Kinetics of Defects Original Research Article
Pages 115-150
Constantinos Christofides
Chapter 5 Photothermal Deflection Spectroscopy Characterization of Ion-Implanted and Annealed Silicon Films Original Research Article
Pages 151-177
U. Zammit
Chapter 6 Photothermal Deep-Level Transient Spectroscopy of Impurities and Defects in Semiconductors Original Research Article
Pages 179-211
Andreas Mandelis, Arief Budiman, Miguel Vargas
Chapter 7 Ion Implantation into Quantum-Well Structures Original Research Article
Pages 213-255
R. Kalish, S. Charbonneau
Chapter 8 Ion Implantation and Thermal Annealing of III-V Compound Semiconducting Systems: Some Problems of III-V Narrow Gap Semiconductors Original Research Article
Pages 257-293
Alexandre M. Myasnikov, Nikolay N. Gerasimenko
Index
Pages 295-302
