دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Muzaffer A Siddiqi
سری:
ISBN (شابک) : 9781439893753, 1439893756
ناشر: CRC Press Taylor & Francis Group
سال نشر:
تعداد صفحات: 362
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Dynamic RAM : technology advancements به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب RAM پویا: پیشرفت های فناوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
DRAMها به دلیل استفاده گسترده در مینفریمها، رایانههای شخصی، و دستگاههای صوتی و تصویری موبایل، با حجم فزایندهای تولید میشوند، هم بهصورت مستقل و هم بهصورت تعبیهشده به عنوان بخشی از یک سیستم روی تراشه. با توجه به طراحی بهینه اجزای خود - ترانزیستور دسترسی، خازن ذخیره سازی و تجهیزات جانبی - DRAM ها ارزان ترین و متراکم ترین حافظه های نیمه هادی موجود در حال حاضر هستند. در نتیجه، بیشتر تحقیق و توسعه ساختار DRAM بر فناوری مورد استفاده برای اجزای تشکیل دهنده آن و اتصالات متقابل آنها متمرکز است. با این حال، تنها تعداد کمی کتاب در مورد حافظه های نیمه هادی به طور کلی و تعداد کمتری در حافظه های DRAM موجود است. رم پویا: پیشرفتهای فناوری نمایی کلی از فناوری DRAM با توصیفی سیستماتیک از پیشرفتهای این حوزه از دهه 1970 و تجزیه و تحلیل چالشهای آینده ارائه میدهد. موضوعات عبارتند از: سلول های DRAM از همه نوع، از جمله سلول های مسطح، سه بعدی (3-بعدی) ترانشه یا انباشته، COB یا CUB، سلول های عمودی و مکانیکی مقاوم با استفاده از ترانزیستورهای پیشرفته و خازن های ذخیره سازی پیشرفت در فناوری ترانزیستور برای RCAT، SCAT، FinFET، BT FinFET، نوع زین و فرورفتگی پیشرفته و درک خازن ذخیرهسازی چگونه فنآوریهای DRAM ترنچ زیر ۱۰۰ نانومتری و فناوریهای DRAM پشتهای زیر ۵۰ نانومتر و موضوعات مرتبط ممکن است منجر به تحقیقات جدید شود انواع مختلف نشت و روشهای کاهش مصرف برق در فعال و خواب حالت انواع مختلف SAها و تکنیکهای افزایش بازدهی که از ECC و افزونگی استفاده میکنند. علاوه بر این ارزشمند به تحقیقات حافظه نیمهرسانا، دانشگاهیان و محققان علاقهمند به طراحی و بهینهسازی DRAMهای با چگالی بالا و مقرونبهصرفه نیز ممکن است آن را به عنوان بخشی از فارغالتحصیلان مفید بدانند. دوره سطح
Because of their widespread use in mainframes, PCs, and mobile audio and video devices, DRAMs are being manufactured in ever increasing volume, both in stand-alone and in embedded form as part of a system on chip. Due to the optimum design of their components—access transistor, storage capacitor, and peripherals—DRAMs are the cheapest and densest semiconductor memory currently available. As a result, most of DRAM structure research and development focuses on the technology used for its constituent components and their interconnections. However, only a few books are available on semiconductor memories in general and fewer on DRAMs. Dynamic RAM: Technology Advancements provides a holistic view of the DRAM technology with a systematic description of the advancements in the field since the 1970s, and an analysis of future challenges. Topics Include: DRAM cells of all types, including planar, three-dimensional (3-D) trench or stacked, COB or CUB, vertical, and mechanically robust cells using advanced transistors and storage capacitors Advancements in transistor technology for the RCAT, SCAT, FinFET, BT FinFET, Saddle and advanced recess type, and storage capacitor realizations How sub 100 nm trench DRAM technologies and sub 50 nm stacked DRAM technologies and related topics may lead to new research Various types of leakages and power consumption reduction methods in active and sleep mode Various types of SAs and yield enhancement techniques employing ECC and redundancy A worthwhile addition to semiconductor memory research, academicians and researchers interested in the design and optimization of high-density and cost-efficient DRAMs may also find it useful as part of a graduate-level course.