دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Dopants and Defects in Semiconductors, Second Edition
دانلود کتاب ناخالصی ها و عیوب در نیمه هادی ها، ویرایش دوم
مشخصات کتاب
Dopants and Defects in Semiconductors, Second Edition
ویرایش: 2nd نویسندگان: Matthew D McCluskey, Eugene E Haller سری: ISBN (شابک) : 9781138035195, 1351977970 ناشر: CRC Press سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 373 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 43 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 45,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Dopants and Defects in Semiconductors, Second Edition به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ناخالصی ها و عیوب در نیمه هادی ها، ویرایش دوم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ناخالصی ها و عیوب در نیمه هادی ها، ویرایش دوم
تمجید برای نسخه اول
"این کتاب فراتر از کتاب درسی معمولی است زیرا نمونه های خاص تری
از فیزیک نقص های دنیای واقعی را ارائه می دهد ... خواندنی آسان و
مقدماتی کلی از این زمینه"
—مواد امروز
..''. به خوبی نوشته شده است، با توضیحات روشن و شفاف ...''
―Chemistry World
این نسخه اصلاح شده کاملترین نسخه را ارائه می دهد. ، پوشش به روز
دانش بنیادی نیمه هادی ها، شامل فصل جدیدی است که در مورد آخرین
فناوری و کاربردهای نیمه هادی ها گسترش می یابد. علاوه بر گنجاندن
مسائل فصل اضافی و مثال های کار شده، جزئیات بیشتری در مورد
روشنایی حالت جامد (LED ها و دیودهای لیزری) ارائه می دهد.
نویسندگان به یک نمای کلی از مواد ناخالص و عیوب دست یافته اند و
پایه محکمی برای روش های تجربی و نظریه نقص در نیمه هادی ها ارائه
می دهند.
متیو دی. مک کلاسکی، استاد دانشگاه گروه فیزیک و نجوم و برنامه
علوم مواد در دانشگاه ایالتی واشنگتن (WSU)، پولمن، واشنگتن. او
دکترای فیزیک گرفت. از دانشگاه کالیفرنیا (UC)، برکلی.
یوجین ای. هالر، استاد بازنشسته در دانشگاه کالیفرنیا، برکلی، و
عضو آکادمی ملی مهندسی. او مدرک دکتری گرفت. در حالت جامد و فیزیک
کاربردی از دانشگاه بازل، سوئیس.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Praise for the First Edition
''The book goes beyond the usual textbook in that it provides
more specific examples of real-world defect physics ... an easy
reading, broad introductory overview of the field''
―Materials Today
..''. well written, with clear, lucid explanations ...''
―Chemistry World
This revised edition provides the most complete, up-to-date
coverage of the fundamental knowledge of semiconductors,
including a new chapter that expands on the latest technology
and applications of semiconductors. In addition to inclusion of
additional chapter problems and worked examples, it provides
more detail on solid-state lighting (LEDs and laser diodes).
The authors have achieved a unified overview of dopants and
defects, offering a solid foundation for experimental methods
and the theory of defects in semiconductors.
Matthew D. McCluskey is a professor in the Department of
Physics and Astronomy and Materials Science Program at
Washington State University (WSU), Pullman, Washington. He
received a Physics Ph.D. from the University of California
(UC), Berkeley.
Eugene E. Haller is a professor emeritus at the University of
California, Berkeley, and a member of the National Academy of
Engineering. He received a Ph.D. in Solid State and Applied
Physics from the University of Basel, Switzerland.
فهرست مطالب
Content: 1. Semiconductor Basics 1.1 Historical Overview 1.2 Cubic Crystals 1.3 Other Crystals 1.4 Phonons and the Brillouin Zone 1.5 The Band Gap 1.6 Band Theory 1.7 Electrons and Holes 1.8 Doping 1.9 Optical Properties1.10 Electronic Transport1.11 Examples of Semiconductors 2. Defect Classifications 2.1 Basic Definitions 2.2 Energy Levels 2.3 Examples of Native Defects 2.4 Examples of Nonhydrogenic Impurities 2.5 Hydrogen 2.6 Defect Symmetry 2.7 Dislocations 3. Interfaces and Devices 3.1 Ideal Metal-Semiconductor Junctions 3.2 Real Metal-Semiconductor Junctions 3.3 Depletion Width 3.4 The p-n Junction 3.5 Applications of p-n Junctions 3.6 The Metal-Oxide-Semiconductor Junction 3.7 The Charge-Coupled Device3.8 Light Emitting Devices3.9 The 2D Electron Gas 4. Crystal Growth and Doping 4.1 Bulk Crystal Growth 4.2 Dopant Incorporation during Bulk Crystal Growth 4.3 Thin Film Growth 4.4 Liquid Phase Epitaxy 4.5 Chemical Vapor Deposition 4.6 Molecular Beam Epitaxy 4.7 Alloying 4.8 Doping by Diffusion 4.9 Ion Implantation 4.10 Annealing and Dopant Activation 4.11 Neutron Transmutation 5. Electronic Properties 5.1 Hydrogenic Model 5.2 Wave Function Symmetry 5.3 Donor and Acceptor Wave Functions 5.4 Deep Levels 5.5 Carrier Concentrations as a Function of Temperature 5.6 Freeze-Out Curves 5.7 Scattering Processes 5.8 Hopping and Impurity Band Conduction5.9 Spintronics 6. Vibrational Properties 6.1 Phonons 6.2 Defect Vibrational Modes 6.3 Infrared Absorption 6.4 Interactions and Lifetimes 6.5 Raman Scattering 6.6 Wave Functions and Symmetry 6.7 Oxygen in Silicon and Germanium 6.8 Impurity Vibrational Modes in GaAs 6.9 Hydrogen Vibrational Modes 7. Optical Properties 7.1 Free-Carrier Absorption and Reflection 7.2 Lattice Vibrations 7.3 Dipole Transitions 7.4 Band-Gap Absorption 7.5 Carrier Dynamics 7.6 Exciton and Donor-Acceptor Emission 7.7 Isoelectronic Impurities 7.8 Lattice Relaxation 7.9 Transition Metals 8. Thermal Properties 8.1 Defect Formation 8.2 Charge State 8.3 Chemical Potential 8.4 Diffusion8.5 Microscopic Mechanisms of Diffusion 8.6 Self-Diffusion 8.7 Dopant Diffusion 8.8 Quantum-Well Intermixing 9. Electrical Measurements 9.1 Resistivity and Conductivity 9.2 Methods of Measuring Resistivity 9.3 Hall Effect 9.4 Capacitance-Voltage Profiling 9.5 Carrier Emission and Capture 9.6 Deep-Level Transient Spectroscopy 9.7 Minority Carriers and Deep-Level Transient Spectroscopy 9.8 Minority Carrier Lifetime 9.9 Thermoelectric Effect 10. Optical Spectroscopy 10.1 Absorption 10.2 Emission 10.3 Raman Spectroscopy 10.4 Fourier Transform Infrared Spectroscopy 10.5 Photoconductivity 10.6 Time-Resolved Techniques 10.7 Applied Stress 10.8 Electron Paramagnetic Resonance 10.9 Optically Detected Magnetic Resonance 10.10 Electron Nuclear Double Resonance 11. Particle-Beam Methods 11.1 Rutherford Backscattering Spectrometry 11.2 Ion Range 11.3 Secondary Ion Mass Spectrometry 11.4 X-Ray Emission 11.5 X-Ray Absorption 11.6 Photoelectric Effect 11.7 Electron Beams 11.8 Positron Annihilation 11.9 Muons 11.10 Perturbed Angular Correlation Spectroscopy 11.11 Nuclear Reactions 12. Microscopy and Structural Characterization 12.1 Optical Microscopy 12.2 Scanning Electron Microscopy 12.3 Cathodoluminescence 12.4 Electron Beam Induced Current Microscopy 12.5 Diffraction 12.6 Transmission Electron Microscopy 12.7 Scanning Probe Microscopy
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Dynamic Decision Support for Electronic Requirements Negotiations
دانلود کتاب El Quinto Dia
