Directed Self-assembly of Block Co-polymers for Nano-manufacturing

روش خودآرایی هدایت شده (DSA) الگوبرداری برای میکروالکترونیک از جداسازی فاز پلیمری برای تولید ویژگی‌های کمتر از 20 نانومتر استفاده می‌کند، با موقعیت‌های مواد خودآرایی که از بیرون به الگوی مورد نظر هدایت می‌شوند. . مجموعه مستقیم بلوک‌های کوپلیمر برای تولید نانوطراحی، تولید، برنامه‌های کاربردی و پیشرفت‌های آتی مورد نیاز برای تسهیل پذیرش گسترده این فناوری امیدوارکننده را بررسی می‌کند.

شروع با یک نمای کلی جامع از فیزیک و شیمی مواد بلوک کوپلیمر (BCP)، قسمت 1 سنتز مواد جدید و روش‌های پردازش جدید برای DSA را پوشش می‌دهد. بخش 2 سپس به تشریح مدل‌سازی و خصوصیات کلیدی می‌پردازد. اصول DSA، بررسی الگوها و الگوسازی با استفاده از سطوح توپوگرافی و اصلاح شده شیمیایی، زبری لبه خط و کنترل ابعادی، پراکندگی اشعه ایکس برای مشخصه‌سازی، و مونتاژ مبتنی بر مقیاس نانو. در نهایت، قسمت 3 حوزه های کاربردی و مسائل مربوط به DSA را در تولید نانو مورد بحث قرار می دهد، از جمله برای طراحی مدار منطقی پایه، مسئله DSA معکوس، تجزیه طراحی و مدل سازی و تجزیه و تحلیل تکنیک های تولید خود مونتاژ قالب در مقیاس بزرگ.

• تشریح معتبر اصول نظری و تکنیک‌های مدل‌سازی برای معرفی کامل موضوع
• بحث گسترده‌ای از کاربردهای عملی برای خود مونتاژ مستقیم در تولید نانو
• اهمیت این فناوری را برای حال و آینده تولید نانو با کاوش در استفاده بالقوه آن در طیف وسیعی از زمینه ها برجسته می کند

The directed self-assembly (DSA) method of patterning for microelectronics uses polymer phase-separation to generate features of less than 20nm, with the positions of self-assembling materials externally guided into the desired pattern. Directed self-assembly of Block Co-polymers for Nano-manufacturing reviews the design, production, applications and future developments needed to facilitate the widescale adoption of this promising technology.

Beginning with a solid overview of the physics and chemistry of block copolymer (BCP) materials, Part 1 covers the synthesis of new materials and new processing methods for DSA. Part 2 then goes on to outline the key modelling and characterization principles of DSA, reviewing templates and patterning using topographical and chemically modified surfaces, line edge roughness and dimensional control, x-ray scattering for characterization, and nanoscale driven assembly. Finally, Part 3 discusses application areas and related issues for DSA in nano-manufacturing, including for basic logic circuit design, the inverse DSA problem, design decomposition and the modelling and analysis of large scale, template self-assembly manufacturing techniques.

• Authoritative outlining of theoretical principles and modeling techniques to give a thorough introdution to the topic
• Discusses a broad range of practical applications for directed self-assembly in nano-manufacturing
• Highlights the importance of this technology to both the present and future of nano-manufacturing by exploring its potential use in a range of fields