دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: 1st Edition. نویسندگان: Ayse Erol سری: Springer Series in Materials Science ISBN (شابک) : 9783642093937, 3642093930 ناشر: Springer سال نشر: 2010 تعداد صفحات: 622 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری: فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک نیمه هادی ها
در صورت تبدیل فایل کتاب Dilute III-V Nitride Semiconductors and Material Systems: Physics and Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی ها و سیستم های مواد نیترید III-V رقیق: فیزیک و فناوری نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
چالش عمده فعلی برای دستگاه های نیمه هادی، توسعه مواد برای نسل بعدی سیستم های ارتباطی نوری و برنامه های کاربردی تبدیل انرژی خورشیدی است. اخیراً، تحقیقات گسترده نشان داده است که ورود تنها چند درصد نیتروژن به شبکه نیمه هادی III-V منجر به کاهش چشمگیر شکاف باند می شود. این کشف امکان استفاده از این سیستم های مواد را برای کاربردهای مختلف از لیزر گرفته تا سلول های خورشیدی باز کرده است. "فیزیک و فناوری نیمه هادی های نیترید رقیق III-V و سیستم های جدید مواد نیترید رقیق" وضعیت فعلی تحقیق و توسعه در نیتریدهای رقیق III-V را با 24 فصل از گروه های تحقیقاتی برجسته که پیشرفت های اخیر در تکنیک های رشد را پوشش می دهد، مرور می کند. توصیف ساختار باند، نقصهای انتقال حامل، خواص انتقال، رفتار دینامیکی اتمهای N، کاربردهای دستگاه، مدلسازی طراحی دستگاه، مدارهای مجتمع نوری جدید، و نیتروژن جدید حاوی مواد III-V.
A major current challenge for semiconductor devices is to develop materials for the next generation of optical communication systems and solar power conversion applications. Recently, extensive research has revealed that an introduction of only a few percentages of nitrogen into III-V semiconductor lattice leads to a dramatic reduction of the band gap. This discovery has opened the possibility of using these material systems for applications ranging from lasers to solar cells. "Physics and Technology of Dilute III-V Nitride Semiconductors and Novel Dilute Nitride Material Systems" reviews the current status of research and development in dilute III-V nitrides, with 24 chapters from prominent research groups covering recent progress in growth techniques, experimental characterization of band structure, defects carrier transport, transport properties, dynamic behavior of N atoms, device applications, modeling of device design, novel optoelectronic integrated circuits, and novel nitrogen containing III-V materials.