Dielectric Breakdown in Gigascale Electronics: Time Dependent Failure Mechanisms

این کتاب بر جنبه های تجربی و نظری تجزیه وابسته به زمان فیلم های دی الکتریک پیشرفته مورد استفاده در الکترونیک مقیاس گیگا تمرکز دارد. پوشش شامل مهم‌ترین مکانیسم‌های خرابی برای فیلم‌های نازک با کیفیت پایین، تکنیک‌های آزمایشی جدید و تثبیت‌شده، پیشرفت‌های اخیر در زمینه شکست دی‌الکتریک، و شبیه‌سازی/مدل‌های پیشرفته برای رفع و پیش‌بینی خرابی دی‌الکتریک است که همگی برای مهندسان اهمیت قابل‌توجهی دارند. و دانشمندانی که روی توسعه و ادغام معماری تراشه های حال و آینده کار می کنند. این کتاب به طور خاص برای کمک به دانشمندان در ارزیابی قابلیت اطمینان و استحکام سیستم‌های الکترونیکی با استفاده از مواد دی‌الکتریک کم k مانند فیلم‌های متخلخل طراحی شده است. به طور مشابه، مدل‌های ارائه‌شده در اینجا به بهبود روش‌های فعلی برای تخمین خرابی الکترونیک مقیاس گیگا در شرایط عملکرد دستگاه از شرایط آزمایش آزمایشگاهی شتاب‌زده کمک می‌کنند. نمودارها، جداول و تصاویر متعددی برای تسهیل درک موضوعات گنجانده شده است. خوانندگان قادر خواهند بود شکست دی الکتریک در لایه های نازک را به همراه حالت های شکست اصلی و تکنیک های شخصیت پردازی درک کنند. علاوه بر این، آنها در مورد مدل‌های آزمایش شتاب میدانی معمولی و همچنین جدید برای پیش‌بینی تخریب طولانی‌مدت دی الکتریک تخصص کسب خواهند کرد.

This book focuses on the experimental and theoretical aspects of the time-dependent breakdown of advanced dielectric films used in gigascale electronics. Coverage includes the most important failure mechanisms for thin low-k films, new and established experimental techniques, recent advances in the area of dielectric failure, and advanced simulations/models to resolve and predict dielectric breakdown, all of which are of considerable importance for engineers and scientists working on developing and integrating present and future chip architectures. The book is specifically designed to aid scientists in assessing the reliability and robustness of electronic systems employing low-k dielectric materials such as nano-porous films. Similarly, the models presented here will help to improve current methodologies for estimating the failure of gigascale electronics at device operating conditions from accelerated lab test conditions. Numerous graphs, tables, and illustrations are included to facilitate understanding of the topics. Readers will be able to understand dielectric breakdown in thin films along with the main failure modes and characterization techniques. In addition, they will gain expertise on conventional as well as new field acceleration test models for predicting long term dielectric degradation.