ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET

دانلود کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون

Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET

مشخصات کتاب

Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET

ویرایش: 1st ed. 
نویسندگان: , ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783030045128, 9783030045135 
ناشر: Springer International Publishing 
سال نشر: 2019 
تعداد صفحات: 125 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 4 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 48,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون: مهندسی، مدارها و سیستم ها، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Device Physics, Modeling, Technology, and Analysis for Silicon MESFET به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک دستگاه، مدلسازی، فناوری و تجزیه و تحلیل برای MESFET سیلیکون



این کتاب اطلاعات دقیق و دقیقی در مورد تاریخچه، ساختار، عملکرد، مزایا و ساختارهای پیشرفته MESFET سیلیکونی به همراه مدل‌سازی و تحلیل دستگاه ارائه می‌دهد. نویسندگان فیزیک دقیقی را که در مدل‌سازی SOI-MESFET مهم هستند، توضیح می‌دهند و مشتقات عبارات مدل فشرده را ارائه می‌دهند تا کاربران بتوانند معنای فیزیکی معادلات و پارامترهای مدل را تشخیص دهند. این بحث همچنین شامل ساختارهای پیشرفته برای SOI-MESFET برای کاربردهای زیر میکرون است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book provides detailed and accurate information on the history, structure, operation, benefits and advanced structures of silicon MESFET, along with modeling and analysis of the device. The authors explain the detailed physics that are important in modeling of SOI-MESFETs, and present the derivations of compact model expressions so that users can recognize the physical meaning of the model equations and parameters. The discussion also includes advanced structures for SOI-MESFET for submicron applications.



فهرست مطالب

Front Matter ....Pages i-ix
Invention and Evaluation of Transistors and Integrated Circuits (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 1-9
General Overview of the Basic Structure and Operation of a Typical Silicon on Insulator Metal–Semiconductor Field Effect Transistor (SOI-MESFET) (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 11-41
Modeling of Classical SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 43-58
Design and Modeling of Triple-Material Gate SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 59-71
Three-Dimensional Analytical Model of the Non-Classical Three-Gate SOI MESFET (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 73-92
Analytical Investigation of Subthreshold Performance of SOI MESFET Devices (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 93-111
Future Works on Silicon-on-Insulator Metal–Semiconductor Field Effect Transistors (SOI MESFETs) (Iraj Sadegh Amiri, Hossein Mohammadi, Mahdiar Hosseinghadiry)....Pages 113-115
Back Matter ....Pages 117-122




نظرات کاربران