دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک ویرایش: 1st نویسندگان: Ali M. Niknejad, Robert G. Meyer سری: The Springer International Series in Engineering and Computer Science ISBN (شابک) : 9780792379867, 0792379861 ناشر: Springer سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 211 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Design Simulation and Applications of Inductors and Transformers for Si RF ICs به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شبیه سازی طراحی و استفاده از القایی و ترانسفورماتور برای IC های سی RF نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
آی سی های RF بی سیم و مایکروویو به شدت به دستگاه های غیرفعال مانند سلف ها، خازن ها و ترانسفورماتورها بستگی دارند. دستگاههای غیرفعال با به حداقل رساندن نویز، به حداکثر رساندن بهره و فرکانس کار و به حداقل رساندن توان، بلوکهای ساختمانی کلیدی مدار RF را بهینه میکنند. ادغام دستگاههای غیرفعال روی بستر Si IC نیازمند درک انتقادی از جفت شدن و تلفات بستر است، از جمله جریان رسانا و جابجایی القا شده الکتریکی که در زیرلایه و همچنین جریانهای گردابی ناشی از مغناطیسی ایجاد میشود. طراحی، شبیه سازی و کاربرد سلف ها و ترانسفورماتورها برای آی سی های RF Si درک عمیقی از فیزیک درگیر در عملکرد این دستگاه ها در فرکانس های مایکروویو ارائه می دهد. علاوه بر این، این کتاب به دو بلوک حیاتی می پردازد که به شدت به دستگاه های غیرفعال بستگی دارند، نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ و تقویت کننده توزیع شده. طراحی، شبیه سازی و کاربرد سلف ها و ترانسفورماتورها برای آی سی های RF Si مورد علاقه مهندسان مدار مجتمع RF و مایکروویو، طراحان کامپیوتری، فیزیکدانان دستگاه و محققان الکترومغناطیسی و همچنین مهندسین الکترونیک قدرت خواهد بود.
Wireless RF and microwave ICs depend critically on passive devices, such as inductors, capacitors, and transformers. Passive devices allow the optimization of key RF circuit building blocks by minimizing noise, maximizing gain and frequency of operation, and minimizing power. The integration of passive devices on the Si IC substrate requires a critical understanding of substrate coupling and loss, including electrically induced conductive and displacement current flowing in the substrate as well as magnetically induced eddy currents. Design, Simulation and Applications of Inductors and Transformers for Si RF ICs provides a deep understanding of the physics involved in the operation of these devices at microwave frequencies. Additionally, the book tackles two critical blocks that depend critically on the passive devices, the voltage-controlled oscillator and a distributed amplifier. Design, Simulation and Applications of Inductors and Transformers for Si RF ICs will be of interest to RF and microwave integrated circuit engineers, computer aided designers, device physicists, and electromagnetic researchers, as well as power electronics engineers.