ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering

دانلود کتاب عیوب و ناخالصی ها در مواد سیلیکونی: مقدمه ای بر مهندسی سیلیکون سطح اتمی

Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering

مشخصات کتاب

Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 413 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 90 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 65,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



کلمات کلیدی مربوط به کتاب عیوب و ناخالصی ها در مواد سیلیکونی: مقدمه ای بر مهندسی سیلیکون سطح اتمی: فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک نیمه هادی ها



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 10


در صورت تبدیل فایل کتاب Defects and Impurities in Silicon Materials: An Introduction to Atomic-Level Silicon Engineering به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب عیوب و ناخالصی ها در مواد سیلیکونی: مقدمه ای بر مهندسی سیلیکون سطح اتمی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب عیوب و ناخالصی ها در مواد سیلیکونی: مقدمه ای بر مهندسی سیلیکون سطح اتمی

اسپرینگر، 2015. - 487 ص. - (نکات سخنرانی در فیزیک 916). — ISBN-10: 4431557997، ISBN-13: 978-4431557999.
این کتاب بر اهمیت بینش‌های اتمی شگفت‌انگیز در مورد عیوب و ناخالصی‌ها و همچنین تأکید می‌کند. رفتارهای دینامیکی در مواد سیلیکونی، که در 20 سال گذشته به طور مستقیم در دسترس بوده است. چنین پیشرفتی با روش‌های تجربی جدید توسعه‌یافته، نظریه‌های اصل اول و تکنیک‌های شبیه‌سازی کامپیوتری امکان‌پذیر شده است.
این کتاب برای محققان، دانشمندان و تکنسین‌های جوان در صنایع مرتبط اهداف اصلی ارائه خوانندگان با 1) فیزیک اساسی در پشت نقص در مواد سیلیکونی، 2) مدل سازی اتمی و همچنین تکنیک های مشخصه مربوط به نقص و ناخالصی در مواد سیلیکونی، و 3) مروری بر طیف گسترده ای از مواد سیلیکونی است. زمینه های تحقیقاتی درگیر

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Springer, 2015. — 487 p. — (Lecture Notes in Physics 916). — ISBN-10: 4431557997, ISBN-13: 978-4431557999.
This book emphasizes the importance of the fascinating atomistic insights into the defects and the impurities as well as the dynamic behaviors in silicon materials, which have become more directly accessible over the past 20 years. Such progress has been made possible by newly developed experimental methods, first principle theories, and computer simulation techniques.
The book is aimed at young researchers, scientists, and technicians in related industries. The main purposes are to provide readers with 1) the basic physics behind defects in silicon materials, 2) the atomistic modeling as well as the characterization techniques related to defects and impurities in silicon materials, and 3) an overview of the wide range of the research fields involved.




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد