Defects and Disorder in Crystalline and Amorphous Solids

مطالعه عیوب و بی نظمی در جامدات موضوع اصلی در علم حالت جامد است. پیشرفت‌ها در این زمینه همچنان توسط تکنیک‌های تجربی و نظری جدید ارتقا می‌یابد، در حالی که انگیزه بیشتری برای مطالعه بی‌نظمی در جامدات با افزایش دامنه کاربردهای مواد حالت جامد فراهم می‌شود که بی‌نظمی در سطح اتمی نقش مهمی در آن ایفا می‌کند. در این کتاب سعی بر آن است تا به بررسی جنبه های بنیادی و کاربردی این رشته بپردازیم. ما جنبه های اساسی جامدات کریستالی و آمورف معیوب را در نظر می گیریم. ما در مورد مطالعات اخیر خواص ساختاری، الکترونیکی، انتقال، ترمودینامیکی و طیف‌سنجی چنین موادی بحث می‌کنیم. روش‌های تجربی و نظری بررسی می‌شوند و به موادی مانند هادی‌های یونی سریع و نیمه‌هادی‌های آمورف که در یک زمینه کاربردی اهمیت دارند، توجه دقیقی داده می‌شود. هر بررسی از این میدان بزرگ لزوماً انتخابی است. ما بر روی مواد عایق (به ویژه اکسیدی) و نیمه رسانا تأکید کرده ایم. اما بسیاری از رویکردها و تکنیک‌هایی که ما توضیح می‌دهیم عموماً در کل حوزه علم حالت جامد کاربرد دارند. این جلد بر اساس ASI ناتو است که در Residencia Santa Teresa de Jesus، مادرید در سپتامبر 1991 برگزار شد. ویراستار از بخش امور علمی ناتو برای حمایت آنها از این مدرسه سپاسگزار است. همچنین از همه کسانی که در مدرسه شرکت کردند و در آن سخنرانی کردند، به ویژه از کمیته سازماندهی A. V. Chadwick، G. N. Greaves، M. Grigorkiewicz، J. H. Harding و S. Kalbitzer تشکر می کنیم. C. R. A.

The study of defects and disorder in solids remains a central topic in solid state science. Developments in the field continue to be promoted by new experimental and theoretical techniques, while further impetus for the study of disorder in solids is provided by the growing range of applications of solid state materials in which disorder at the atomic level plays a crucial rOle. In this book we attempt to present a survey of fundamental and applied aspects of the field. We consider the basic aspects of defective crystalline and amorphous solids. We discuss recent studies of structural, electronic, transport, thermodynamic and spectroscopic properties of such materials. Experimental and theoretical methodologies are reviewed, and detailed consideration is given to materials such as fast ion conductors and amorphous semiconductors that are of importance in an applied context. Any survey of this large field is necessarily selective. We have chosen to emphasise insulating (especially oxidic) and semi-conducting materials. But many of the approaches and techniques we describe apply generally across the entire field of solid state science. This volume is based on a NATO ASI held at the Residencia Santa Teresa de Jesus, Madrid in September 1991. The Editor is grateful to the NATO Scientific Affairs Division for their sponsorship of this School. Thanks are also due to all who participated in and lectured at the school, but especially to the organising committee of A. V. Chadwick, G. N. Greaves, M. Grigorkiewicz, J. H. Harding and S. Kalbitzer. C. R. A.