Defect-Oriented Testing for Nano-Metric CMOS VLSI Circuits

نسخه 2^دوم تست نقص محور به طور گسترده به روز شده است. فصل‌های جدیدی در مورد مدل‌های عیب عملکردی، پارامتری و تحلیل خطای القایی و مهندسی بازده اضافه شده‌اند تا پیوندی بین منابع نقص و بازده ارائه شود. فصل تست رم با تمرکز بر تست پایداری پارامتریک و SRAM به روز شده است. به طور مشابه، مواد جدیدتر در فصل های مدل سازی خطای دیجیتال و تست آنالوگ گنجانده شده است. نقطه قوت تست نقص محور برای CMOS VLSI های نانو متریک در ارتباط صنعتی آن نهفته است.

The 2^nd edition of defect oriented testing has been extensively updated. New chapters on Functional, Parametric Defect Models and Inductive fault Analysis and Yield Engineering have been added to provide a link between defect sources and yield. The chapter on RAM testing has been updated with focus on parametric and SRAM stability testing. Similarly, newer material has been incorporated in digital fault modeling and analog testing chapters. The strength of Defect Oriented Testing for nano-Metric CMOS VLSIs lies in its industrial relevance.