مشخصات کتاب

Das Widerstands- und Ultraschallschweißen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik

ویرایش: 1 
نویسندگان: Prof. Dr. -Ing. Friedrich Eichhorn,  Dr. -Ing. Günter Wichelhaus (auth.)  
سری: Forschungsberichte des Landes Nordrhein-Westfalen 2293 
ISBN (شابک) : 9783531022932, 9783663068044 
ناشر: VS Verlag für Sozialwissenschaften 
سال نشر: 1972 
تعداد صفحات: 111 
زبان: German 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب جوشکاری مقاومتی و اولتراسونیک به عنوان روشی برای اتصال کوچکترین قطعات در مهندسی برق: مهندسی، عمومی

در صورت تبدیل فایل کتاب Das Widerstands- und Ultraschallschweißen als Verfahren zum Verbinden kleinster Bauelemente in der Elektrotechnik به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب جوشکاری مقاومتی و اولتراسونیک به عنوان روشی برای اتصال کوچکترین قطعات در مهندسی برق نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب جوشکاری مقاومتی و اولتراسونیک به عنوان روشی برای اتصال کوچکترین قطعات در مهندسی برق

از سال 1948، سال اختراع ترانزیستور و ورود فنی سریع آن به الکترونیک، میکروالکترونیک اهمیت صنعتی زیادی پیدا کرده است. از بسیاری از گریل ها، به عنوان مثال. ب- افزایش فرکانس قطع، کاهش حجم، صرفه جویی در وزن و افزایش قابلیت اطمینان، مینیاتورسازی مورد نظر عناصر کلیدزنی الکتریکی را می توان با کمک دو فناوری "فناوری لایه نازک" و "فناوری هادی هولب" به طور قاطعی پیش برد. ". در فناوری لایه نازک، لایه‌های نازک فلزی با ضخامت چند تا 10 متر بر روی مواد حامل عایق مانند شیشه و سرامیک با استفاده از فرآیندهای مختلف اعمال می‌شوند که عمدتاً از مواد کروم، مس، نیکل، تا، نقره و طلا ساخته می‌شوند. اچ کردن و پوشاندن با کمک ماسک ها منجر به عناصر سوئیچ غیرفعال (خازن ها، سنگ های پنهان) می شود که توسط مسیرهای هادی خوب به یکدیگر متصل می شوند. اتصالات خارجی این مدارهای فیلم نازک توسط سیم، قیطان و نوارهایی که به لنت های اتصال در قسمت بیرونی زیرلایه جوش داده می شوند، ایجاد می شود. مواد این بوش ها که معمولاً پس از جوشکاری در پلاستیک ریخته می شوند ترجیحاً طلا، مس، نیکل و آلیاژ کوار می باشد. نقطه پنهان، اولتراسونیک، جوشکاری ترمو فشرده و برخی از روش های لحیم کاری برای مشکلات اتصال بر روی پایه های فیلم نازک مناسب هستند. در فناوری نیمه هادی، اجزاء با انتشار اتم های خارجی مختلف در یک تک کریستال سیلیکونی، معمولاً با استفاده از فناوری انتشار مسطح تولید می شوند. اتصالات الکتریکی این عناصر سوئیچینگ فعال (ترانزیستورها، دیودها) توسط ساختارهای لایه نازک آلومینیومی رسوب شده با بخار تشکیل می شوند. DOS تماس، من. اچ.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Seit 1948, dem Jahr der Erfindung des Transistors und seiner bold darauf folgenden teehnischen EinfUhrung in die Elektronik, hot die Mikroelektro nik eine groI3e industrielle Bedeutung erlangt. Die aus vielen Grilnden, z. B. Steigerung der Grenzfrequenz, Verringerung des Volumens, Gewichts ersparnis und Steigerung der Zuverl~ssigkeit, angestrebte Miniaturisierung der elektrisehen Sehaltelemente konnte mit Hil fe zwe ier Teehnologien, der "DUnnfilmteehnik" und der "Holbleitertechnik", entscheidend vorangetrieben werden. In der DUnnfilmteehnik werden auf isolierende Tr~gerwerkstoffe wie Glas und Keramik naeh versehiedenen Verfahren MetalldUnnfilme von wenigen ~ bis zu 10 tm Dieke vor allem aus den VJerkstoffen Cr, Cu, Ni, Ta, Ag und Au aufgebracht. Durch Atzen und Ausblenden mit Hilfe von Masken ent stehen passive Sehaltelemente (Kondensatoren, Hiderstonde), die unter einander dureh gut lei tende Lei terbahnen verbunden werden. Die ~uI3eren AnsehlUsse dieser DUnnfilmschaltkreise werden hergestellt dureh Dr~hte, Flaehdrahte und B?nder, die mit den auBen auf dem Substrat liegenden An sehluI3fl?che n versehweiBt werden. Die Herkstoffe d ieser DurchfUhrungen, die naeh dem VersehweiBen meist mit Kunststoff umgossen werden, sind vor zugsweise Gold, Kupfer, Nickel und die Legierung Kovar. FUr die Ver bindungsprobleme an DUnnfilmsehaltungen eignen sieh dos Hiderstandspunkt-, dos Ultrasehall-, dos ThermokompressionsschweiBen und einige Lotverfahren. In der Halbleiterteehnik werden die Bauelemente dureh Diffusion von ver schiedenen Fremdatomen in einem Silizium-Einkristall meist mittels der Planar-Diffusionsteehnik hergestellt. Die elektrischen AnsehlUsse dieser aktiven Sehaltelemente (Transistoren, Dioden) werden von aufgedampften Aluminium-DUnnfilmstrukturen gebildet. Dos Kontaktieren, d. h.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-2
Begriffe und Abkürzungen....Pages 3-7
Einleitung....Pages 8-9
Problemstellung und Umfang der Untersuchungen....Pages 10-10
Versuchseinrichtungen, Versuchswerkstoffe Meß- und Prüfverfahren....Pages 11-31
Untersuchungen beim Widerstardspunktschweißen....Pages 32-45
Untersuchungen beim Ultraschallschweißen....Pages 46-63
Zusammenfassung....Pages 64-67
Schrifttum....Pages 68-74
Abbildungen....Pages 75-107
Back Matter....Pages 109-110

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Completely Parsed Cicero: The First Oration of Cicero against Catiline

دانلود کتاب Top 10 Orlando

دانلود کتاب Hegel em 90 minutos

دانلود کتاب A p-version finite element method for nonlinear elliptic variational inequalities in 2D

دانلود کتاب Understanding Your Young Teen: Practical Wisdom for Parents