دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: آموزشی ویرایش: نویسندگان: Markov I.V. سری: ISBN (شابک) : 9810215312, 9810221770 ناشر: World Scientific Publishing Company سال نشر: 1995 تعداد صفحات: 436 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 17 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Crystal Growth for Beginners: Fundamentals of Nucleation, Crystal Growth and Epitaxy به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب رشد کریستال برای مبتدیان: مبانی هسته زایی، رشد کریستال و اپیتاکسی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این اولین کتاب درسی در زمینه مبانی هستهزایی، رشد کریستال و اپیتاکسی است. این از یک دیدگاه واحد نوشته شده است و بنابراین ارائه غیر التقاطی از این موضوع بین رشته ای در علم مواد است. خواننده ملزم به داشتن دانش پایه در ریاضیات و فیزیک است. تمام فرمول ها و معادلات با مثال هایی همراه هستند که از اهمیت تکنولوژیکی برخوردار هستند. این کتاب نه تنها مبانی، بلکه وضعیت هنر در موضوع را نیز ارائه می دهد. نسخه اصلاح شده دوم شامل دو فصل جداگانه است که به تأثیر مانع Enrich-Schwoebel برای انتشار پایین پله و همچنین تأثیر گونه های فعال سطحی بر مورفولوژی سطوح در حال رشد می پردازد. علاوه بر این، بسیاری از فصل های دیگر نیز بر این اساس به روز می شوند. بنابراین، به عنوان یک کتاب مرجع ارزشمند هم برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و هم برای محققان در علم مواد عمل می کند.
This is the first-ever textbook on the fundamentals of nucleation, crystal growth and epitaxy. It has been written from a unified point of view and is thus a non-eclectic presentation of this interdisciplinary topic in materials science. The reader is required to possess some basic knowledge of mathematics and physics. All formulae and equations are accompanied by examples that are of technological importance. The book presents not only the fundamentals but also the state of the art in the subject. The second revised edition includes two separate chapters dealing with the effect of the Enrich-Schwoebel barrier for down-step diffusion, as well as the effect of surface active species, on the morphology of the growing surfaces. In addition, many other chapters are updated accordingly. Thus, it serves as a valuable reference book for both graduate students and researchers in materials science.