مشخصات کتاب

Conference on Earth Station Technology, 14-16 October 1970

ویرایش:  
نویسندگان: Subramanian S. Iyer,  Subramanian S. Iyer,  Andre J. Auberton-Herve  
سری: Institution of Electrical Engineers London.; I.E.E. conference publication 
ISBN (شابک) : 0852960395, 9780852960394 
ناشر: Institution of Electrical Engineers 
سال نشر: 1970 
تعداد صفحات: 177 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 15 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Conference on Earth Station Technology, 14-16 October 1970 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کنفرانس فناوری ایستگاه زمینی، 14-16 اکتبر 1970 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب کنفرانس فناوری ایستگاه زمینی، 14-16 اکتبر 1970

استفاده از فناوری سیلیکون روی عایق (SOI) در میکروالکترونیک در حال گسترش است و آماده استفاده در تعداد روزافزونی از موقعیت‌های ساخت IC است. پیوند Si تک کریستال به دی الکتریک ها، معمولاً دی اکسید سیلیکون، یک روش کلیدی برای تولید ساختارهای SOI است و این کار برای کمک به مهندسان به طور مستقیم در استفاده از فناوری SOI در حال ظهور در عمل طراحی شده است. اصول پیوند ویفر، آسیاب و صیقل دادن پشت، Smartcut، Eltran و خصوصیات ویفر همگی برای بهره مندی مهندس توسعه فرآیند توضیح و نشان داده شده اند.

همچنین در دسترس است:

فناوری سیلیسید برای مدارهای مجتمع - ISBN 9780863413520
ساخت دستگاه‌های GaAs - ISBN 9780863413537

موسسه مهندسی و فناوری یکی از انجمن‌های مهندسی و فناوری پیشرو در جهان برای فناوری‌های حرفه‌ای است. . IET هر سال بیش از 100 عنوان جدید منتشر می کند. ترکیبی غنی از کتاب ها، مجلات و مجلات با کاتالوگ متشکل از بیش از 350 کتاب در 18 موضوع مختلف از جمله:

-قدرت و انرژی
-انرژی های تجدیدپذیر
-رادار، سونار و ناوبری
-الکترومغناطیس
-اندازه گیری الکتریکی
-تاریخچه فناوری
-مدیریت فناوری

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The use of silicon-on-insulator (SOI) technology in microelectronics is proliferating and is ready to be applied in a growing number of IC fabrication situations. Bonding of single crystal Si to dielectrics, normally silicon dioxide, is a key method of producing SOI structures and this work is designed to assist engineers directly in applying emerging SOI technology in practice. Wafer bonding principles, grind and polish back, Smartcut, Eltran and wafer characterization are all explained and illustrated for the benefit of the process development engineer.

Also available:

Silicide Technology for Integrated Circuits - ISBN 9780863413520
Fabrication of GaAs Devices - ISBN 9780863413537

The Institution of Engineering and Technology is one of the world's leading professional societies for the engineering and technology community. The IET publishes more than 100 new titles every year; a rich mix of books, journals and magazines with a back catalogue of more than 350 books in 18 different subject areas including:

-Power & Energy
-Renewable Energy
-Radar, Sonar & Navigation
-Electromagnetics
-Electrical Measurement
-History of Technology
-Technology Management

فهرست مطالب

Content: Introduction S.S.Iyer
 1 Wafer bonding principles Q.-Y. Tong
 2 Bond, grind-back and polish SOI K.Mitani
 3 Smart Cut: the technology for high volume SOI B.Aspar and A.J.Auberton-Herve
 4 ELTRAN (SOI-Epi wafer) technology T.Yonehara
 5 Wafer characterisation G.Pfeiffer and S.S.Iyer
 6 Advanced applications of wafer bonding E.C.Jones and S.W.Bedell
 Appendix: A manufacturing process for silicon-on-silicon wafer bonding K.Bansal and J.P.Goodrich. Index

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Way of the Turtle. The Secret Methods that turned Ordinary People into Legendary Traders

دانلود کتاب Signalingstrategien im Stakeholdermanagement : Kommunikation und Wertschöpfung

دانلود کتاب The Brand Gap

دانلود کتاب L'affare Watergate. L'orchestra rossa contro Richard Nixon

دانلود کتاب Derecho Romano Patrimonial