دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Comprehensive Semiconductor Science and Technology, Six-Volume Set, Volume 1
دانلود کتاب علم و فناوری جامع نیمه هادی، مجموعه شش جلدی، جلد 1
مشخصات کتاب
Comprehensive Semiconductor Science and Technology, Six-Volume Set, Volume 1
ویرایش: 1 نویسندگان: Pallab Bhattacharya, Roberto Fornari, Hiroshi Kamimura سری: ISBN (شابک) : 0444531432, 9780444531438 ناشر: Elsevier Science سال نشر: 2011 تعداد صفحات: 445 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 12 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 44,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Comprehensive Semiconductor Science and Technology, Six-Volume Set, Volume 1 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب علم و فناوری جامع نیمه هادی، مجموعه شش جلدی، جلد 1 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب علم و فناوری جامع نیمه هادی، مجموعه شش جلدی، جلد 1
نیمه هادی ها در قلب زندگی مدرن قرار دارند. تقریباً هر کاری که ما انجام می دهیم، خواه کار، مسافرت، ارتباطات یا سرگرمی، همه به برخی از ویژگی های فناوری نیمه هادی بستگی دارد. علم و فناوری جامع نیمه هادی ها وسعت این حوزه مهم را به تصویر می کشد و آن را در یک منبع واحد به مخاطبان زیادی که نیمه هادی ها را مطالعه، ساخت و بهره برداری می کنند ارائه می کند. تلاش‌های قبلی برای این دستاورد به اختصار نوشته شده‌اند و موضوعات مهم را حذف کرده‌اند. این اثر که توسط یک تیم واقعا بین المللی از کارشناسان نوشته و ویرایش شده است، یک بررسی جهانی عینی و در عین حال منسجم از دنیای نیمه هادی ها ارائه می دهد. کار به سه بخش تقسیم شده است. بخش اول به فیزیک بنیادی نیمه هادی ها مربوط می شود و نشان می دهد که چگونه ویژگی های الکترونیکی و دینامیک شبکه به شدت تغییر می کند زمانی که سیستم ها از حجم به ساختارهای کم بعدی و بیشتر به اندازه نانومتر تغییر می کنند. در سراسر این بخش بر درک کامل فیزیک اساسی تاکید شده است. بخش دوم عمدتاً به تبدیل چارچوب مفهومی فیزیک حالت جامد به دستگاه‌ها و سیستم‌هایی می‌پردازد که نیاز به رشد مواد حجیم و همپایی با خلوص بسیار بالا، تقریباً بدون نقص دارند. بخش آخر به بهره برداری از دانش شرح داده شده در بخش های قبلی برای برجسته کردن طیف دستگاه هایی که در اطراف خود می بینیم اختصاص دارد. یک تصویر جهانی جامع از دنیای نیمه هادی ها ارائه می دهد. هر یک از سه بخش کار، شرح کاملی از یک جنبه از کل نوشته شده و ویرایش شده توسط یک تیم واقعا بین المللی از کارشناسان را ارائه می دهد.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Semiconductors are at the heart of modern living. Almost everything we do, be it work, travel, communication, or entertainment, all depend on some feature of semiconductor technology. Comprehensive Semiconductor Science and Technology captures the breadth of this important field, and presents it in a single source to the large audience who study, make, and exploit semiconductors. Previous attempts at this achievement have been abbreviated, and have omitted important topics. Written and Edited by a truly international team of experts, this work delivers an objective yet cohesive global review of the semiconductor world. The work is divided into three sections. The first section is concerned with the fundamental physics of semiconductors, showing how the electronic features and the lattice dynamics change drastically when systems vary from bulk to a low-dimensional structure and further to a nanometer size. Throughout this section there is an emphasis on the full understanding of the underlying physics. The second section deals largely with the transformation of the conceptual framework of solid state physics into devices and systems which require the growth of extremely high purity, nearly defect-free bulk and epitaxial materials. The last section is devoted to exploitation of the knowledge described in the previous sections to highlight the spectrum of devices we see all around us. Provides a comprehensive global picture of the semiconductor world Each of the work's three sections presents a complete description of one aspect of the whole Written and Edited by a truly international team of experts
فهرست مطالب
Cover ......Page 1
Comprehensive Semiconductor Science and Technology......Page 2
Copyright......Page 5
Contents of Volume 1......Page 6
Contributors to Volume 1......Page 8
Preface......Page 10
Editors in Chief......Page 14
Contents of All Volumes......Page 16
Introduction......Page 20
The Empirical Pseudopotential Method......Page 25
The Ab Initio Pseudopotential Method......Page 45
Summary and Conclusions......Page 56
References......Page 58
Further Reading......Page 60
Introduction......Page 61
Ground-State Properties and DFT......Page 63
Ab Initio pseudopotentials......Page 66
Selected Applications of DFT to Ground-State Properties......Page 68
Excited States and Spectroscopic Properties......Page 73
Quasiparticle Properties and the Single-Particle Green’s Function......Page 74
The GW Approximation......Page 76
The GW Formalism and Applications......Page 78
Two-Particle Excitations and the Bethe-Salpeter Equation......Page 82
The GW-BSE Formalism and Optical Response......Page 84
Interactions in Nanostructured Semiconducting Materials......Page 90
Acknowledgments......Page 92
References......Page 93
Further Reading......Page 95
Impurity Bands in Group-IV Semiconductors......Page 96
Introduction......Page 97
Localization Theories in Impurity Bands......Page 100
Electron-Electron Interactions in Impurity Bands......Page 105
Hopping Conduction and Related Phenomena......Page 120
Conclusions......Page 128
References......Page 129
Atomic Structures and Electronic Properties of Semiconductor Interfaces......Page 132
Introduction......Page 133
Interface Formation and Stability......Page 134
Electronic Structures of Interfaces......Page 164
Future Prospects......Page 186
References......Page 189
Further Reading......Page 193
Introduction......Page 194
Integer QHE - Experiments......Page 200
IQHE - Theories......Page 203
Localization problem......Page 208
QHE Edge States and Edge Transport......Page 212
Real-Space Imaging......Page 214
QHE Resistance Standard and the Fine-Structure Constant......Page 215
Quantum-Dot and Periodically Modulated Systems in Strong Magnetic Fields......Page 216
Integer versus Fractional QHEs......Page 219
Recent Developments and Related Phenomena......Page 221
References......Page 227
Further Reading......Page 228
Fractional Quantum Hall Effect and Composite Fermions......Page 229
Quantum Hall Effect Phenomenology......Page 230
Electrons in a Magnetic Field: Landau Levels......Page 231
Composite Fermions: Basic Foundations......Page 233
Consequences......Page 235
References......Page 239
Further Reading......Page 240
Spin Hall Effect......Page 241
Introduction - Early History and Background of Spin Hall Effect (SHE)......Page 243
Intrinsic and Extrinsic Mechanism of SHE......Page 246
SHE in Metals......Page 264
Quantum Spin Hall Effect......Page 272
Summary and Perspectives on SHE......Page 283
References......Page 288
Further Reading......Page 297
Ballistic Transport in 1D GaAs/AlGaAs Heterostructures......Page 298
Introduction......Page 300
Ballistic Conduction in n-type GaAs-Based 1D Systems......Page 308
Ballistic Transport in p-Type GaAs-Based 1D Systems......Page 328
References......Page 341
Further Reading......Page 344
Introduction......Page 345
The Boltzmann Equation......Page 346
Thermal Conductivity......Page 349
Thermoelectric Phenomena......Page 355
Thermoelectrics......Page 361
Nanostructured Materials......Page 369
Summary and Outlook......Page 374
References......Page 375
Introduction......Page 378
Electronic Structures......Page 380
Transport Properties of Graphene......Page 388
Transport Properties of Carbon Nanotubes......Page 391
Transport Properties of Graphite......Page 393
References......Page 399
Further Reading......Page 401
Introduction......Page 402
Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy......Page 403
Graphite......Page 408
Graphite Intercalation Compounds......Page 416
Graphene......Page 422
References......Page 426
Theory of Superconductivity in Graphite Intercalation Compounds......Page 429
Introduction......Page 430
First-Principles Calculation of Tc......Page 432
Calculation of Tc in the G0W0 Approximation......Page 433
Density Functional Theory for Superconductors......Page 435
Experiment on Superconductivity in GICs......Page 437
Standard Model for Superconductivity in GICs......Page 438
Superconductivity in Alkaline-Earth GICs......Page 440
Prediction of the Optimum Tc in GICs......Page 441
References......Page 442
Further Reading......Page 445
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Principles of Groundwater Engineering
دانلود کتاب The Next Pope: The Office of Peter and a Church in Mission
دانلود کتاب HLSL Development Cookbook: Implement stunning 3D rendering techniques using the power of HLSL and DirectX 11
