دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
دانلود کتاب نیمه هادی های مرکب لایه ها و دستگاه های سخت
مشخصات کتاب
Compound Semiconductors Strained Layers and Devices
ویرایش: 1 نویسندگان: S. Jain, M. Willander, R. Van Overstraeten (auth.) سری: Electronic Materials Series 7 ISBN (شابک) : 9780792377696, 9781461544418 ناشر: Springer US سال نشر: 2000 تعداد صفحات: 345 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 43,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نیمه هادی های مرکب لایه ها و دستگاه های سخت: مواد نوری و الکترونیکی، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Compound Semiconductors Strained Layers and Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نیمه هادی های مرکب لایه ها و دستگاه های سخت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نیمه هادی های مرکب لایه ها و دستگاه های سخت
در سال های اخیر کارهای گسترده ای بر روی کرنش، نابجایی و خواص
مکانیکی لایه های کرنش شده انجام شده است. اگرچه نمی‌توان همه این
کارها را در یک مونوگراف با این اندازه توصیف کرد، لایه‌ها و
دستگاه‌های نیمه‌رسانای مرکب یک نمای کلی با جزئیات کافی
برای پوشش تمام جنبه‌های اساسی پیشرفت‌های اخیر در این زمینه
ارائه می‌دهد. این کتاب بر روی نیمه هادی های مرکب با تأکید بر
شکاف پهن باند II-VI و نیمه هادی های III-نیترید تمرکز دارد. لایه
های کرنش GeSi برای مقایسه برای روشن شدن فیزیک زیربنایی مورد بحث
قرار می گیرند. اثرات کرنش بر ساختار نوار، انتقال، و خواص نوری
هر دو ترکیب روی و ترکیبات نیمه هادی وورتزیت، به عنوان اثرات
پیزوالکتریک و اثرات استارک محدود کوانتومی مورد بحث قرار گرفته
است. پلارون های مغناطیسی در پلارون های مغناطیسی II-VI رقیق شده
نیز پوشیده شده اند. از جمله کاربردها، ال ای دی ها و ال ای دی
های آبی و سبز و LD ها و LD های میانی IR گنجانده شده است. یک فصل
کامل به این دستگاه ها اختصاص داده شده است. فصل دیگری به بررسی
ترانزیستورهای مبتنی بر نیمه هادی های معمولی III-V، II-VI و
III-نیترید می پردازد.
موضوع در سطحی مناسب برای دانشجویان و محققین ارشد علاقه مند به
علم مواد و طراحی و مدل سازی دستگاه های نیمه هادی بررسی می شود.
همچنین برای مهندسان و دانشمندان مواد که در مورد اثرات کرنش بر
خواص مکانیکی لایه‌های کریستالی هر ماده‌ای درگیر هستند مفید
خواهد بود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
In recent years, extensive work has been done on strain,
dislocations and mechanical properties of strained layers.
Although it is not possible to describe all this work in a
monograph of this size, Compound Semiconductors Strained
Layers and Devices provides an overview with sufficient
detail to cover all the essential aspects of recent
developments in the field. The book concentrates on compound
semiconductors with emphasis on wideband gap II-VI and
III-Nitride semiconductors. GeSi strained layers are discussed
for comparison to clarify the underlying physics.
The effects of strain on band structure, transport, and optical
properties of both the zinc blende and the wurtzite compound
semiconductors are discussed, as are Piezoelectric Effects and
Quantum Confined Stark Effects. Magnetic polarons in diluted
II-VI magnetic polarons are also covered. Among the
applications, blue and green LEDs and LDs and mid-IR LDs are
included. A whole chapter is devoted to these devices. Another
chapter examines transistors based on conventional III-V, II-VI
and III-nitride semiconductors.
The subject matter is treated at a level appropriate for
students and senior researchers interested in material science,
and in designing and modeling semiconductor devices. It will
also be useful to engineers and material scientists concerned
with the effects of strain on the mechanical properties of
crystalline layers of any material.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages i-xii
Introduction....Pages 1-18
Characterization and growth....Pages 19-57
Strain and critical thickness....Pages 59-87
Strain relaxation and defects....Pages 89-114
Band structure and optical properties....Pages 115-157
Electrical and magnetic properties....Pages 159-206
Strained layer optoelectronic devices....Pages 207-244
Transistors....Pages 245-264
Summary and conclusions....Pages 265-273
Back Matter....Pages 275-337
