دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Sandip Tiwari (Auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780126917406, 012691740X
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1992
تعداد صفحات: 826
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 14 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Compound Semiconductor Device Physics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک دستگاه نیمه هادی مرکب نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب یکی از دقیق ترین روش های فیزیک دستگاه های نیمه هادی
مرکب را ارائه می دهد که تاکنون منتشر شده است. درک کامل دستگاه
های مدرن مستلزم دانش کاری فیزیک کم بعدی، استفاده از روش های
آماری و استفاده از تکنیک های تحلیلی و عددی یک، دو و سه بعدی
است. این کتاب با بحث نظام مند و دقیق ** برای این موضوعات، هم
برای محقق و هم برای دانشجو ایده آل است. اگرچه تاکید این متن بر
دستگاه های نیمه هادی مرکب است، اما بسیاری از اصول مورد بحث برای
علاقه مندان به دستگاه های سیلیکونی نیز مفید خواهد بود. هر فصل
با تمرین هایی به پایان می رسد که برای تقویت مفاهیم، تکمیل
استدلال ها یا اشتقاق ها، و تأکید بر ماهیت تقریب ها با ارزیابی
انتقادی شرایط واقع گرایانه طراحی شده اند.
یکی از دقیق ترین روش های فیزیک دستگاه های نیمه هادی مرکب که
هنوز منتشر شده است**خواندن ضروری برای درک کامل دستگاه های
مدرن**شامل تمرین های پایان فصل برای تسهیل درک
This book provides one of the most rigorous treatments of
compound semiconductor device physics yet published. A complete
understanding of modern devices requires a working knowledge of
low-dimensional physics, the use of statistical methods, and
the use of one-, two-, and three-dimensional analytical and
numerical analysis techniques. With its systematic and
detailed**discussion of these topics, this book is ideal for
both the researcher and the student. Although the emphasis of
this text is on compound semiconductor devices, many of the
principles discussed will also be useful to those interested in
silicon devices. Each chapter ends with exercises that have
been designed to reinforce concepts, to complement arguments or
derivations, and to emphasize the nature of approximations by
critically evaluating realistic conditions.
One of the most rigorous treatments of compound semiconductor
device physics yet published**Essential reading for a complete
understanding of modern devices**Includes chapter-ending
exercises to facilitate understanding
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
Inside Front Cover, Page vii
Preface, Pages xv-xvi
Chapter 1 - Introduction, Pages 1-5
Chapter 2 - Review of Semiconductor Physics, Properties, and Device Implications, Pages 7-104
Chapter 3 - Mathematical Treatments, Pages 105-197
Chapter 4 - Transport Across Junctions, Pages 199-298
Chapter 5 - Metal—Semiconductor Field Effect Transistors, Pages 299-401
Chapter 6 - Insulator and Heterostructure Field Effect Transistors, Pages 403-550
Chapter 7 - Heterostructure Bipolar Transistors, Pages 551-703
Chapter 8 - Hot Carrier and Tunneling Structures, Pages 705-753
Chapter 9 - Scaling and Operational Limitations, Pages 755-782
Appendix A - Network Parameters and Relationships, Pages 783-789
Appendix B - Properties of Compound Semiconductors, Pages 791-801
Appendix C - Physical Constants, Units, and Acronyms, Pages 803-805
Glossary, Pages 807-818
Index, Pages 819-828