ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures

دانلود کتاب حافظه های غیر فرار با تله بارگیری: جلد 2--مواد و ساختارهای در حال ظهور

Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures

مشخصات کتاب

Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9783319487038, 9783319487052 
ناشر: Springer International Publishing 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 215 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 8 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 43,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب حافظه های غیر فرار با تله بارگیری: جلد 2--مواد و ساختارهای در حال ظهور: نانوتکنولوژی، مدارها و دستگاه های الکترونیکی، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، ساختارهای حافظه، مهندسی مواد



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Charge-Trapping Non-Volatile Memories: Volume 2--Emerging Materials and Structures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب حافظه های غیر فرار با تله بارگیری: جلد 2--مواد و ساختارهای در حال ظهور نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب حافظه های غیر فرار با تله بارگیری: جلد 2--مواد و ساختارهای در حال ظهور



این کتاب فناوری حافظه‌های غیرفرار با به دام انداختن بار و کاربردهای آن‌ها را شرح می‌دهد. نویسندگان فیزیک دستگاه معماری هر دستگاه را توضیح می‌دهند و توصیفی ملموس از مواد درگیر و ویژگی‌های اساسی فناوری ارائه می‌دهند. ویژگی‌های مواد مدرن که به عنوان لایه‌های به دام انداختن بار برای کاربردهای جدید استفاده می‌شوند، معرفی شده‌اند.

  • یک نمای کلی از فناوری حافظه‌های غیرفرار با به دام انداختن بار ارائه می‌دهد. /li>
  • معماری‌های جدید و مفاهیم مدل‌سازی فعلی را برای دستگاه‌های حافظه غیرفرار شرح می‌دهد؛
  • بر رسانایی از طریق پشته‌های دی‌الکتریک گیت چند لایه تمرکز می‌کند.
  • </ ul>

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book describes the technology of charge-trapping non-volatile memories and their uses. The authors explain the device physics of each device architecture and provide a concrete description of the materials involved and the fundamental properties of the technology. Modern material properties, used as charge-trapping layers, for new applications are introduced.

  • Provides a comprehensive overview of the technology for charge-trapping non-volatile memories;
  • Details new architectures and current modeling concepts for non-volatile memory devices;
  • Focuses on conduction through multi-layer gate dielectrics stacks.


فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-v
Materials and Device Reliability in SONOS Memories....Pages 1-54
Charge-Trap-Non-volatile Memory and Focus on Flexible Flash Memory Devices....Pages 55-89
Hybrid Memories Based on Redox Molecules....Pages 91-122
Organic Floating Gate Memory Structures....Pages 123-156
Nanoparticles-Based Flash-Like Nonvolatile Memories: Cluster Beam Synthesis of Metallic Nanoparticles and Challenges for the Overlying Control Oxide Layer....Pages 157-210
Back Matter....Pages 211-211




نظرات کاربران