ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

دانلود کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

مشخصات کتاب

Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

دسته بندی: انرژی
ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری: IET Energy Engineering 128 
ISBN (شابک) : 9781785614910, 1785614916 
ناشر: The Institution of Engineering and Technology 
سال نشر: 2018 
تعداد صفحات: 350 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 79 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 33,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب مشخصات دستگاه های نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده

در قلب مبدل های الکترونیک قدرت مدرن، دستگاه های سوئیچینگ نیمه هادی قدرت قرار دارند. ظهور دستگاه های نیمه هادی باندگپ گسترده (WBG)، از جمله کاربید سیلیکون و نیترید گالیم، نوید مبدل های الکترونیک قدرت با راندمان بالاتر، اندازه کوچکتر، وزن سبک تر و هزینه کمتر نسبت به مبدل های با استفاده از دستگاه های مبتنی بر سیلیکون را می دهد. با این حال، دستگاه‌های WBG چالش‌های جدیدی را برای طراحی مبدل ایجاد می‌کنند و به خصوصیات دقیق‌تری نیاز دارند، به ویژه به دلیل سرعت سوئیچینگ سریع و نیاز شدیدتر به حفاظت. خصوصیات دستگاه های نیمه هادی قدرت باندگپ گسترده روش های جامعی را با مثال هایی برای توصیف این دسته مهم از دستگاه های قدرت ارائه می دهد. پس از مقدمه، کتاب خصوصیات استاتیک پالس را پوشش می دهد. مشخصه ظرفیت اتصال. اصول شخصیت پردازی پویا؛ درایو دروازه برای توصیف پویا. طراحی چیدمان و مدیریت انگلی؛ طراحی حفاظتی برای تست دو پالس؛ اندازه گیری و پردازش داده ها برای توصیف پویا. بررسی بحث متقابل؛ تاثیر سیستم سه فاز؛ و ملاحظات توپولوژی


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

At the heart of modern power electronics converters are power semiconductor switching devices. The emergence of wide bandgap (WBG) semiconductor devices, including silicon carbide and gallium nitride, promises power electronics converters with higher efficiency, smaller size, lighter weight, and lower cost than converters using the established siliconbased devices. However, WBG devices pose new challenges for converter design and require more careful characterization, in particular due to their fast switching speed and more stringent need for protection. Characterization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices presents comprehensive methods with examples for the characterization of this important class of power devices. After an introduction, the book covers pulsed static characterization; junction capacitance characterization; fundamentals of dynamic characterization; gate drive for dynamic characterization; layout design and parasitic management; protection design for double pulse test; measurement and data processing for dynamic characterization; cross-talk consideration; impact of three-phase system; and topology considerations.



فهرست مطالب

Chapter 1: IntroductionChapter 2: Pulsed static characterizationChapter 3: Junction capacitance characterizationChapter 4: Fundamentals of dynamic characterizationChapter 5: Gate drive for dynamic characterizationChapter 6: Layout design and parasitic managementChapter 7: Protection design for double pulse testChapter 8: Measurement and data processing for dynamic characterizationChapter 9: Cross-talk considerationChapter 10: Impact of three-phase systemChapter 11: Topology considerationAppendix A: Recommended equipment and components list for DPT setupAppendix B: Data processing code for dynamic characterization




نظرات کاربران