دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک ویرایش: 3 نویسندگان: Chihiro Hamaguchi سری: Graduate texts in physics ISBN (شابک) : 3319668595, 9783319668604 ناشر: Springer International Publishing سال نشر: 2017 تعداد صفحات: 723 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 29 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Basic semiconductor physics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فیزیک پایه نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
ویرایش جدید این کتاب درسی شرح مفصلی از فیزیک نیمه هادی ها را ارائه می دهد. این متن طیف گسترده ای از پدیده های مهم در نیمه هادی ها را از ساده تا پیشرفته را پوشش می دهد. چهار روش مختلف محاسبات باند انرژی در منطقه باند کامل توضیح داده شدهاند: روشهای شبه پتانسیل تجربی محلی، شبه پتانسیل غیرمحلی، اغتشاش KP و روشهای اتصال محکم. تقریب جرم موثر و حرکت الکترون در یک پتانسیل تناوبی، معادله انتقال بولتزمن و پتانسیلهای تغییر شکل مورد استفاده برای تجزیه و تحلیل خواص انتقال مورد بحث قرار میگیرند. علاوه بر این، این کتاب آزمایشها و تحلیلهای نظری تشدید سیکلوترون را با جزئیات بررسی میکند. خواص نوری و انتقال، انتقال مغناطیسی، انتقال گاز الکترون دو بعدی (HEMT و MOSFET) و انتقال کوانتومی بررسی میشوند، در حالی که انتقال نوری، برهمکنش الکترون-فونون و تحرک الکترون نیز مورد بررسی قرار میگیرند. انرژی و ساختار الکترونیکی یک نقطه کوانتومی (اتم مصنوعی) با کمک دترمیناتورهای Slater توضیح داده شده است. فیزیک لیزرهای نیمه هادی نیز شرح داده شده است، از جمله ضرایب انیشتین، گسیل تحریک شده، گسیل خود به خود، بهره لیزر، ساختارهای ناهمسان دوگانه، لیزرهای آبی، محصورسازی نوری، حالت های لیزر، و لیزرهای چاه کوانتومی تیره شده، که بینش هایی را در مورد انواع مختلف فیزیک ارائه می دهد. لیزرها در این نسخه سوم، محاسبات باند انرژی در منطقه باند کامل با اندرکنش مدار- اسپین ارائه شده است که تمام عناصر ماتریس را نشان میدهد و خواننده را برای تهیه برنامههای کامپیوتری محاسبات باند انرژی مجهز میکند. Luttinger Hamiltonian برای تجزیه و تحلیل ساختار نوار ظرفیت مورد بحث و بررسی قرار گرفته است. محاسبات عددی نرخ پراکندگی، زمان استراحت و تحرک برای نیمه هادی های معمولی ارائه شده است که برای درک حمل و نقل بسیار مفید است. ساختارهای نوار انرژی و توده های موثر نیتریدها مانند GaN، InN، AlN و آلیاژهای سه تایی آنها مورد بحث قرار می گیرند زیرا آنها مواد بسیار مهمی برای انتشار نور آبی و دستگاه های با قدرت بالا و فرکانس بالا هستند. یادگیری و آموزش با این کتاب درسی با مشکلات و راه حل ها در انتهای فصل ها پشتیبانی می شود. این کتاب برای دانشجویان کارشناسی و کارشناسی ارشد فیزیک و مهندسی نوشته شده است.
The new edition of this textbook presents a detailed description of basic semiconductor physics. The text covers a wide range of important phenomena in semiconductors, from the simple to the advanced. Four different methods of energy band calculations in the full band region are explained: local empirical pseudopotential, non-local pseudopotential, KP perturbation and tight-binding methods. The effective mass approximation and electron motion in a periodic potential, Boltzmann transport equation and deformation potentials used for analysis of transport properties are discussed. Further, the book examines experiments and theoretical analyses of cyclotron resonance in detail. Optical and transport properties, magneto-transport, two-dimensional electron gas transport (HEMT and MOSFET) and quantum transport are reviewed, while optical transition, electron-phonon interaction and electron mobility are also addressed. Energy and electronic structure of a quantum dot (artificial atom) are explained with the help of Slater determinants. The physics of semiconductor lasers is also described, including Einstein coefficients, stimulated emission, spontaneous emission, laser gain, double heterostructures, blue lasers, optical confinement, laser modes, and strained quantum well lasers, offering insights into the physics of various kinds of semiconductor lasers. In this third edition, energy band calculations in full band zone with spin-orbit interaction are presented, showing all the matrix elements and equipping the reader to prepare computer programs of energy band calculations. The Luttinger Hamiltonian is discussed and used to analyze the valence band structure. Numerical calculations of scattering rate, relaxation time, and mobility are presented for typical semiconductors, which are very helpful for understanding of transport. Energy band structures and effective masses of nitrides such as GaN, InN, AlN and their ternary alloys are discussed because they are very important materials for the blue light emission, and high power devices with and high frequency. Learning and teaching with this textbook is supported by problems and solutions in the end of the chapters. The book is written for bachelor and upper undergraduate students of physics and engineering.
Front Matter ....Pages i-xxi
Energy Band Structures of Semiconductors (Chihiro Hamaguchi)....Pages 1-63
Cyclotron Resonance and Energy Band Structures (Chihiro Hamaguchi)....Pages 65-123
Wannier Function and Effective Mass Approximation (Chihiro Hamaguchi)....Pages 125-151
Optical Properties 1 (Chihiro Hamaguchi)....Pages 153-204
Optical Properties 2 (Chihiro Hamaguchi)....Pages 205-264
Electron–Phonon Interaction and Electron Transport (Chihiro Hamaguchi)....Pages 265-364
Magnetotransport Phenomena (Chihiro Hamaguchi)....Pages 365-413
Quantum Structures (Chihiro Hamaguchi)....Pages 415-545
Light Emission and Laser (Chihiro Hamaguchi)....Pages 547-634
Answers for Problems (Chihiro Hamaguchi)....Pages 635-661
Back Matter ....Pages 663-709