دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: D. M. Eigler (auth.), Phaedon Avouris (eds.) سری: NATO ASI Series 239 ISBN (شابک) : 9789401048958, 9789401120241 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 1993 تعداد صفحات: 343 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 16 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب اصلاح مواد در مقیاس اتمی و نانومتری: مبانی و کاربردها: سطوح و واسط ها، لایه های نازک، خصوصیات و ارزیابی مواد، شیمی فیزیک، مهندسی برق
در صورت تبدیل فایل کتاب Atomic and Nanometer-Scale Modification of Materials: Fundamentals and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اصلاح مواد در مقیاس اتمی و نانومتری: مبانی و کاربردها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد شامل مجموعه مقالات کنفرانس "اصلاح مواد در مقیاس اتمی و نانومتری: مبانی و کاربردها" است که با حمایت مشترک ناتو و بنیاد مهندسی در ونتورا، کالیفرنیا در اوت 1992 برگزار شد. هدف برگزارکنندگان گردهمایی و تسهیل تبادل اطلاعات و ایدهها بین محققانی بود که در توسعه تکنیکهای اصلاح و دستکاری در مقیاس نانومتر نقش داشتند. نظریه پردازانی که مکانیسم های اساسی فرآیندهای دخیل در اصلاح را بررسی می کنند و دانشمندانی که خواص و کاربردهای نانوساختارها را مطالعه می کنند. حدود هفتاد دانشمند از سراسر جهان در این کنفرانس شرکت کردند. بیش از 30 سال از زمانی که ریچارد فاینمن مقاله پیشگویی خود را نوشت: "جای زیادی در پایین وجود دارد" (علم و مهندسی، 23، 22، 1960) می گذرد. او در آن پیش بینی کرد که روزی ما باید بتوانیم برای ذخیره تکههای اطلاعات در ساختارهایی که فقط از 100 اتم یا بیشتر تشکیل شدهاند و بدین ترتیب میتوانند تمام اطلاعات انباشتهشده در تمام کتابهای جهان را در مکعبی از مواد به ارتفاع دو صدم اینچ بنویسند. بگو: «اصول فیزیک، تا آنجا که من می بینم، مخالف امکان مانور دادن اتم به اتم اشیا نیست. \" از آن زمان پیشرفت قابل توجهی در جهت تحقق رویاهای فاینمن صورت گرفته است.
This volume contains the proceedings of the conference on "Atomic and Nanometer Scale Modification of Materials: Fundamentals and Applications" which was co-sponsored by NATO and the Engineering Foundation, and took place in Ventura, California in August 1992. The goal of the organizers was to bring together and facilitate the exchange of information and ideas between researchers involved in the development of techniques for nanometer-scale modification and manipulation. theorists investigating the fundamental mech anisms of the processes involved in modification, and scientists studying the properties and applications of nanostructures. About seventy scientists from all over the world participated in the conference. It has been more than 30 years since Richard Feynman wrote his prophetic article: ''There is Plenty of Room at the Bottom" (Science and Engineering, 23, 22, 1960). In it he predicted that some day we should be able to store bits of information in structures composed of only 100 atoms or so, and thus be able to write all the information accumulated in all the books in the world in a cube of material one two-hundredths of an inch high. He went on to say, "the prin ciples of physics, as far as I can see, do not speak against the possibility of maneuvering things atom by atom. " Since that time there has been significant progress towards the realization of Feynman's dreams.
Front Matter....Pages i-xiv
Atom Manipulation with the Scanning Tunneling Microscope....Pages 1-10
STM-Induced Modification and Electrical Properties of Surfaces on the Atomic and Nanometer Scales....Pages 11-24
Alkali Metals on III-V (110) Semiconductor Surfaces: Overlayer Properties and Manipulation Via STM....Pages 25-35
Field Ion Evaporation from Tip and Sample in the STM for Atomic-Scale Surface Modification....Pages 37-47
Writing of Local, Electrically Active Structures in Amorphous Silicon Films by Scanning Tunneling Microscopy....Pages 49-64
Atomic-Scale Imaging and Modification of Spins Using a Magnetic-Sensitive Scanning Tunneling Microscope....Pages 65-73
Physics and Chemistry in High Electric Fields....Pages 75-86
Field-Induced Transfer of an Atom Between Two Closely Spaced Electrodes....Pages 87-96
Vibrational Heating and Atom Transfer with the STM....Pages 97-109
Tip-Induced Modifications of Electronic and Atomic Structure....Pages 111-119
Field Emission from Single-Atom Protrusion Tips: Electron Spectroscopy and Local Heating....Pages 121-131
Four-Point Resistance Measurements of Wires Written with a Scanning Tunneling Microscope....Pages 133-137
High Resolution Patterning with the STM....Pages 139-148
AFM Data Storage Using Thermomechanical Writing....Pages 149-151
BEEM: A Probe of Nanoscale Modification....Pages 153-164
Nanoscale Fashioning of Materials....Pages 165-178
Growth and In-Situ Processing of Low Dimensional Quantum Structures....Pages 179-190
Quantum Dot Fabrication by Optical Lithography and Selective Etching....Pages 191-197
High Frequency (MHz) Nanoactuators for Tips and Tip-Arrays....Pages 199-209
Light Pressure Lithography....Pages 211-226
Semiconductor Quantum Dot Resonant Tunneling Spectroscopy....Pages 227-233
Single Electron Effects in Small Metallic Tunnel Junctions....Pages 235-246
Fabrication and Electric Conductance of a Finite Atomic Gold Wire: A Theoretical Study....Pages 247-261
Structure, Dynamics and Electronic Properties of Molecular Nanostructures Observed By STM....Pages 263-274
The Modification of Semiconductor Surfaces by Molecular Self-Assembly....Pages 275-292
Molecular Self-Assembly and Micromachining....Pages 293-301
Characterization of the Interaction of C 60 with Au(111)....Pages 303-314
Molecular and Cellular Oranizates on the Electrode Surface for Electronic Control of Their Functions....Pages 315-325
Characterization and Application of Nanoscale Artifacts in Scanning Tunneling Microscopy....Pages 327-335
Back Matter....Pages 337-346