مشخصات کتاب

Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices

ویرایش: 1 
نویسندگان: C.K Maiti (Author),  G.A Armstrong (Author)  
سری:  
ISBN (شابک) : 9780750307239, 9780367850265 
ناشر: CRC Press 
سال نشر: 2001 
تعداد صفحات: 414 
زبان:  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 6 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب کاربردهای دستگاه های ناهم ساختار سیلیکون-ژرمانیوم: علوم فیزیک، علم مواد، کامپوزیت ها، فیزیک، فیزیک مواد متراکم

در صورت تبدیل فایل کتاب Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب کاربردهای دستگاه های ناهم ساختار سیلیکون-ژرمانیوم نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب کاربردهای دستگاه های ناهم ساختار سیلیکون-ژرمانیوم

اولین کتابی که به طراحی و بهینه‌سازی ترانزیستورهای ساخته شده از لایه‌های کرنش می‌پردازد، کاربردهای دستگاه‌های ناهم‌ساختار سیلیکون-ژرمانیوم، سه مبحث متمایز - فناوری، طراحی و شبیه‌سازی دستگاه، و کاربردها - را به روشی جامع ترکیب می‌کند. جنبه‌های مهم این کتاب شامل مسائل کلیدی فناوری برای رشد لایه‌های تحت فشار، نظریه پس‌زمینه HBT، نحوه استفاده از شبیه‌سازی دستگاه برای پیش‌بینی ساختار بهینه دستگاه HBT برای یک کاربرد خاص مانند برودت، مدل‌های فشرده SiGe-HBT برای RF است. کاربردها و استخراج پارامتر SPICE، و استراتژی‌هایی برای بهبود عملکرد فرکانس بالا ترانزیستورهای اثر میدان ناهمگون (HFET) با استفاده از ساختارهای MOSFET یا MODFET. این کتاب همچنین طراحی و کاربرد دستگاه‌های الکترونیک نوری را پوشش می‌دهد و چگونگی رقابت فناوری SiGe با سایر فناوری‌های جایگزین در بازار ارتباطات بی‌سیم RF را ارزیابی می‌کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The first book to deal with the design and optimization of transistors made from strained layers, Applications of Silicon-Germanium Heterostructure Devices combines three distinct topics-technology, device design and simulation, and applications-in a comprehensive way. Important aspects of the book include key technology issues for the growth of strained layers, background theory of the HBT, how device simulation can be used to predict the optimum HBT device structure for a particular application such as cryogenics, compact SiGe-HBT models for RF applications and the SPICE parameter extraction, and strategies for the enhancement of the high-frequency performance of heterojunction field effect transistors (HFETs) using MOSFET or MODFET structures. The book also covers the design and application of optoelectronic devices and assesses how SiGe technology competes with other alternative technologies in the RF wireless communications marketplace.

فهرست مطالب

Introduction. Film Growth and Material Parameters. Principles of SiGe-HBTs. Design of SiGe-HBTs. Simulation of SiGe-HBTs. Strained-Si Heterostructure FETs. SiGe Heterostructure Schottky Diodes. SiGe Optoelectronic Devices. RF Applications of SiGe-HBTs

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Marine Pollution and Marine Waste Disposal. Proceedings of the 2nd International Congress, San Remo, 17–21 December, 1973

دانلود کتاب Dis Ek, Anna: Die Volle Verhaal

دانلود کتاب Pathogenicity Islands and the Evolution of Pathogenic Microbes: Volume I

دانلود کتاب Monty Panesar

دانلود کتاب Bacterial Diseases of Rice and Their Management