دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: H. Matsunami (auth.), Professor Dr. Cary Y. Yang, Professor Dr. M. Mahmudur Rahman, Professor Dr. Gary L. Harris (eds.) سری: Springer Proceedings in Physics 71 ISBN (شابک) : 9783642848063, 9783642848049 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1992 تعداد صفحات: 432 [438] زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 19 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Amorphous and Crystalline Silicon Carbide IV: Proceedings of the 4th International Conference, Santa Clara, CA, October 9–11, 1991 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی IV: مجموعه مقالات چهارمین کنفرانس بین المللی، سانتا کلارا، کالیفرنیا، 9 تا 11 اکتبر 1991 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کاربید سیلیکون و سایر مواد گروه IV-IV در شکلهای آمورف، میکروکریستالی و کریستالی آنها کاربردهای بسیار متنوعی دارند. مشارکت در این جلد، پیشرفتها و روندهای اخیر در این زمینه را گزارش میدهد. هدف در دسترس قرار دادن وضعیت فعلی درک مواد و کاربردهای بالقوه آنها است. هر مشارکت بر یک موضوع خاص تمرکز دارد، مانند روش های آماده سازی، خصوصیات، و مدل هایی که یافته های تجربی را توضیح می دهند. این حجم همچنین حاوی آخرین نتایج در زمینه هیجان انگیز ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون SiGe/Si است. خواننده این کتاب را به عنوان یک منبع مرجع، یک مرور کلی به روز و عمیق از این زمینه، و مهمتر از همه، به عنوان پنجره ای به طیف گسترده خواندن کاربردهای بالقوه کاربید سیلیکون ارزشمند خواهد یافت. برای دانشمندان، مهندسان و دانشجویان علاقهمند به مواد الکترونیکی، دستگاههای اتصال ناهمگون پرسرعت، و الکترونیک نوری با دمای بالا ضروری است.
Silicon carbide and other group IV-IV materials in their amorphous, microcrystalline, and crystalline forms have a wide variety of applications.The contributions to this volume report recent developments and trends in the field. The purpose is to make available the current state of understanding of the materials and their potential applications. Eachcontribution focuses on a particular topic, such as preparation methods, characterization, and models explaining experimental findings. The volume also contains the latest results in the exciting field of SiGe/Si heterojunction bipolar transistors. The reader will find this book valuable as a reference source, an up-to-date and in-depth overview of this field, and, most importantly, as a window into the immense range of reading potential applications of silicon carbide. It is essential for scientists, engineers and students interested in electronic materials, high-speed heterojunction devices, and high-temperature optoelectronics.