دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: H. Matsunami (auth.), Dr. Mahmud M. Rahman, Dr. Cary Y.-W. Yang, Dr. Gary L. Harris (eds.) سری: Springer Proceedings in Physics 43 ISBN (شابک) : 9783642750502, 9783642750489 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1989 تعداد صفحات: 237 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی II: تحولات اخیر مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی، سانتا کلارا، کالیفرنیا، 15 تا 16 دسامبر 1988: کریستالوگرافی، علوم پلیمر، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Amorphous and Crystalline Silicon Carbide II: Recent Developments Proceedings of the 2nd International Conference, Santa Clara, CA, December 15—16, 1988 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی II: تحولات اخیر مجموعه مقالات دومین کنفرانس بین المللی، سانتا کلارا، کالیفرنیا، 15 تا 16 دسامبر 1988 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد شامل نسخه های مکتوب مقالات ارائه شده در دومین کنفرانس بین المللی کاربید سیلیکون بی شکل و کریستالی و مواد مرتبط (ICACSC 1988) است که در دانشگاه سانتا کلارا در 15 و 16 دسامبر 1988 برگزار شد. اولین ICACSC را دنبال کرد که در دسامبر 1987 در دانشگاه هوارد، واشنگتن دی سی برگزار شد و همچنان به ارائه یک انجمن بین المللی برای بحث و تبادل نظر و تبادل نظر و نتایج که وضعیت فعلی تحقیقات در مورد SiC و مواد مرتبط را پوشش می داد، ادامه داد. ICACSC 1988 105 شرکت کننده از پنج کشور را جذب کرد. افزایش قابل توجه تعداد مقالات در مقایسه با سال قبل، نشان دهنده علاقه روزافزون به این حوزه است. از 45 مقاله ارائه شده در کنفرانس، 36 مقاله با داوری در این جلد گنجانده شده است، در حالی که 9 مقاله باقی مانده به صورت چکیده ارائه می شوند. شش مقاله دعوت شده بررسی دقیقی از نتایج اخیر در مورد مواد و دستگاههای کاربید سیلیکون آمورف و کریستالی و همچنین لایههای نازک الماس ارائه میکنند. این جلد به شش قسمت تقسیم شده است که هر یک موضوع مهم کنفرانس را پوشش می دهد.
This volume contains written versions of the papers presented at the Second Inter national Conference on Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials (ICACSC 1988), which was held at Santa Clara University on Decem ber 15 and 16, 1988. The conference followed the First ICACSC held at Howard University, Washington DC, in December 1987 and continued to provide an in ternational forum for discussion and exchange of ideas and results covering the current status of research on SiC and related materials. ICACSC 1988 attracted 105 participants from five countries. The substantial increase in the number of papers compared with the previous year is an indication of the growing interest in this field. Of the 45 papers presented at the conference, 36 refereed manuscripts are included in this volume, while the remaining 9 appear as abstracts. The six invited papers provide detailed reviews of recent results on amorphous and crystalline silicon carbide materials and devices, as well as diamond thin films. The volume is divided into six parts, each covering an important theme of the conference.
Front Matter....Pages I-X
Front Matter....Pages 1-1
Crystalline SiC on Si and High Temperature Operational Devices....Pages 2-7
Heteroepitaxial Growth of Cubic SiC on a Si Substrate Using the Si 2 H 6 -C 2 H 2 -H 2 System....Pages 8-13
Chemical Vapor Deposition of Single Crystal β-SiC....Pages 14-19
β-Silicon Carbide Prepared by Rapid Thermal Chemical Vapor Deposition....Pages 20-25
Single Crystal Growth of 6H-SiC by a Vacuum Sublimation Method, and Blue LEDs....Pages 26-34
Polytype Change of Silicon Carbide at High Temperatures....Pages 35-39
Epitaxial Growth of (SiC) X Ge 1-x on Silicon Substrates....Pages 40-41
One-Dimensional Fluid Mechanics/Kinetics Modeling of the CVD of SiC in a Vertical Reactor....Pages 42-42
Front Matter....Pages 43-43
Properties of a-SiC:H Films Prepared with a Field-Enhanced RF Glow-Discharge System Field-Enhanced RF Glow-Discharge System....Pages 44-48
Preparation of Microcrystalline Silicon Carbide Thin Films for the Emitter of Si HBTs....Pages 49-53
High-Quality Microcrystalline SiC Films Fabricated by the Controlled Plasma Magnetron Method....Pages 54-59
Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Deposition of Carbon onto Silicon....Pages 60-65
Preparation and Characterization of Amorphous SiC Film by a Liquid Route....Pages 66-71
Front Matter....Pages 73-73
Gap States of Highly Photosensitive a-SiC:H....Pages 74-79
X-Ray Photoelectron Spectroscopy Study of Hydrogenated Amorphous Silicon Carbide Films....Pages 80-84
Doping-Induced Structural Change in Amorphous Silicon (Carbon) Hydrogen Alloy....Pages 85-88
Small Angle X-Ray Scattering from Microvoids in the a-SiC:H Alloy....Pages 89-93
Studies on Carrier Lifetime and Deep Levels in CVD-Grown 3C-SiC by Photoconductivity and Microwave Absorption....Pages 94-99
ESR Study of Defects in Epitaxially Grown 3C-SiC....Pages 100-105
Time-Resolved Photoluminescence Studies of Undoped and Al-Doped Cubic SiC....Pages 106-111
Front Matter....Pages 73-73
Photoluminescence Imaging of Spatial Distribution of Recombination Centers in Cubic SiC....Pages 112-117
Stress-Induced Defects vs Growth Faults in CVD-Grown SiC....Pages 118-118
Crystalline Defects in β-SiC as Revealed by a NaOH-KOH Eutectic Etch....Pages 119-124
Ellipsometric Study of Cubic SiC....Pages 125-125
Photoluminescence and Transmission Electron Microscopy of Defects in SiC Grown on Si....Pages 126-126
Vibrational and Electrical Properties of n and p Doped a-SiC:H Films....Pages 127-127
Front Matter....Pages 129-129
Current Status of Diamond Thin Films....Pages 130-134
New Material and Device Design Considerations for High-Power Electronics....Pages 135-142
Active and Passive Electronic Applications of CVD Diamond Films....Pages 143-143
Front Matter....Pages 145-145
Surface and Interface Studies of SiC(Buffer-Layer)/Si(100)....Pages 146-151
The Influence of Hydrogen on the Transition from Amorphous to Crystalline Structure in Plasma Deposition of Silicon and Alloys....Pages 152-152
Microstructure of the a-Si 1-x C x :H/c-Si Interface....Pages 153-156
Atomic Layer Control in Cubic SiC Growth Utilizing Surface Superstructure in Gas Source MBE....Pages 157-161
On the Stability of a Cr + C Phase on (100) 3C SiC at Elevated Temperatures....Pages 162-162
Front Matter....Pages 163-163
Physics and Applications of Amorphous Silicon Carbide....Pages 164-170
β-SiC on Titanium Carbide for Solid State Devices....Pages 171-177
Fabrication of MOSFETs on β-SiC Single Crystalline Layers Grown on Si(100) Substrates....Pages 178-183
A High Transconductance β-SiC Buried-Gate Junction Field Effect Transistor....Pages 184-190
SiC as a Potential FET Gate Insulator....Pages 191-197
Applications of High Purity SiC Prepared by Chemical Vapor Deposition....Pages 198-206
Front Matter....Pages 163-163
SiC/Si HBT Using Polycrystalline SiC Layers Prepared by Electron Beam Evaporation....Pages 207-211
Thin Film Transistors Using Polycrystalline SiC....Pages 212-216
Mechanisms in Reactive Ion Etching of Silicon Carbide Thin Films....Pages 217-223
W/SiC Contact Resistance at Elevated Temperatures....Pages 224-228
Application of Excimer Laser Processing in SiC Device Fabrication....Pages 229-229
Back Matter....Pages 231-232