Advances in Rapid Thermal and Integrated Processing

پردازش حرارتی و یکپارچه سریع یک فناوری تک ویفر در حال ظهور در تولید نیمه هادی ULSI، مهندسی برق، فیزیک کاربردی و علم مواد است. در اینجا فیزیک و مهندسی این فناوری در مقطع کارشناسی ارشد مورد بحث قرار می گیرد. سه حوزه مرتبط با هم پوشش داده شده است. اول، ترموفیزیک بازپخت ناشی از فوتون از نیمه هادی ها و مواد مرتبط، از جمله مسائل مربوط به پیرومتری و انتشار، مدل سازی طرح ها و فرآیندهای راکتور، و ارتباط آنها با یکنواختی دما. دوم، ادغام فرآیند، درمان پیشرفت‌ها در طراحی تجهیزات اساسی، افزایش مقیاس، تجهیزات یکپارچه ابزار خوشه، از جمله تمیز کردن ویفر و پردازش یکپارچه. سوم، رسوب گذاری و پردازش لایه های نازک همپایی، دی الکتریک و فلزی، پوشش رسوب انتخابی و اپیتاکسی، پردازش یکپارچه پشته های لایه، و زمینه های جدید کاربرد بالقوه، مانند پردازش ساختارهای نیمه هادی III-V و پردازش سر لایه نازک. برای ذخیره سازی داده های مغناطیسی با چگالی بالا.

Rapid thermal and integrated processing is an emerging single-wafer technology in ULSI semiconductor manufacturing, electrical engineering, applied physics and materials science. Here, the physics and engineering of this technology are discussed at the graduate level. Three interrelated areas are covered. First, the thermophysics of photon-induced annealing of semiconductor and related materials, including fundamental pyrometry and emissivity issues, the modelling of reactor designs and processes, and their relation to temperature uniformity. Second, process integration, treating the advances in basic equipment design, scale-up, integrated cluster-tool equipment, including wafer cleaning and integrated processing. Third, the deposition and processing of thin epitaxial, dielectric and metal films, covering selective deposition and epitaxy, integrated processing of layer stacks, and new areas of potential application, such as the processing of III-V semiconductor structures and thin- film head processing for high-density magnetic data storage.