Advances in Non-Volatile Memory and Storage Technology

راه‌حل‌های جدیدی برای کاهش حجم حافظه غیرفرار در آینده مورد نیاز است. پیشرفت های در فناوری حافظه و ذخیره سازی غیر فرار یک نمای کلی از فناوری های در حال توسعه ارائه می دهد و نقاط قوت و ضعف آنها را بررسی می کند.

بعد از مروری بر بازار فعلی، بخش اول به معرفی پیشرفت‌هایی در فناوری‌های فلش، از جمله پیشرفت‌ها در فناوری‌های فلش سه بعدی NAND و حافظه فلش برای دستگاه‌های ذخیره‌سازی با چگالی بسیار بالا می‌پردازد. بخش دوم به مزایای طراحی حافظه تغییر فاز و فناوری‌های حافظه با دسترسی تصادفی مقاومتی می‌پردازد. این به طور خاص به ساخت، خواص و عملکرد فناوری‌های حافظه تغییر فاز نانوسیم می‌پردازد. فصل‌های بعدی همچنین مدل‌سازی مکانیزم‌های سوئیچینگ حافظه با دسترسی تصادفی اکسید فلز و مقاومتی، و همچنین فناوری‌های حافظه دسترسی تصادفی پل رسانا را در نظر می‌گیرند. در نهایت، بخش سوم به آینده فناوری های جایگزین می پردازد. مناطق تحت پوشش شامل دستگاه های حافظه آلی مولکولی، پلیمری و هیبریدی و انواع دستگاه های حافظه با دسترسی تصادفی مانند دستگاه های مغناطیسی مقاومتی نانو الکترومکانیکی، فروالکتریک و اسپین انتقال-گشتاور می باشد.

پیشرفتها در فناوری حافظه و ذخیره سازی غیر فرار یک منبع کلیدی برای دانشجویان کارشناسی ارشد و محققان دانشگاهی در فیزیک، علم مواد و مهندسی برق است. این ابزار ارزشمندی برای مدیران تحقیق و توسعه مرتبط با الکترونیک، نیمه هادی ها، فناوری نانو، حافظه های حالت جامد، مواد مغناطیسی، مواد آلی، و دستگاه های الکترونیکی قابل حمل است.

• نمای کلی از توسعه غیرفرار را ارائه می دهد. فناوری‌های حافظه و ذخیره‌سازی و نقاط قوت و ضعف آن‌ها را بررسی می‌کند
• بهبود فناوری فلاش، به دام انداختن شارژ، و حافظه دسترسی تصادفی مقاومتی را بررسی می‌کند
• درباره دستگاه‌های نوظهور مانند دستگاه‌های مبتنی بر پلیمر و الکترونیک مولکولی بحث می‌کند. و حافظه دسترسی تصادفی نانوالکترومکانیکی (RAM)

New solutions are needed for future scaling down of nonvolatile memory. Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology provides an overview of developing technologies and explores their strengths and weaknesses.

After an overview of the current market, part one introduces improvements in flash technologies, including developments in 3D NAND flash technologies and flash memory for ultra-high density storage devices. Part two looks at the advantages of designing phase change memory and resistive random access memory technologies. It looks in particular at the fabrication, properties, and performance of nanowire phase change memory technologies. Later chapters also consider modeling of both metal oxide and resistive random access memory switching mechanisms, as well as conductive bridge random access memory technologies. Finally, part three looks to the future of alternative technologies. The areas covered include molecular, polymer, and hybrid organic memory devices, and a variety of random access memory devices such as nano-electromechanical, ferroelectric, and spin-transfer-torque magnetoresistive devices.

Advances in Non-volatile Memory and Storage Technology is a key resource for postgraduate students and academic researchers in physics, materials science, and electrical engineering. It is a valuable tool for research and development managers concerned with electronics, semiconductors, nanotechnology, solid-state memories, magnetic materials, organic materials, and portable electronic devices.

• Provides an overview of developing nonvolatile memory and storage technologies and explores their strengths and weaknesses
• Examines improvements to flash technology, charge trapping, and resistive random access memory
• Discusses emerging devices such as those based on polymer and molecular electronics, and nanoelectromechanical random access memory (RAM)