دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: الکترونیک: رادیو ویرایش: 1 نویسندگان: Jai Singh. Koichi Shimakawa سری: Advances in condensed matter science 5 ISBN (شابک) : 9780415287708, 0415287707 ناشر: Taylor & Francis سال نشر: 2003 تعداد صفحات: 329 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Advances in amorphous semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پیشرفت در نیمه هادی های آمورف نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب سطح فعلی درک از خواص ساختاری، الکترونیکی و نوری نیمه هادی های آمورف را ارائه می دهد. از آنجایی که مواد آمورف به طور قابل توجهی از همتایان کریستالی جدا می شوند، برخی از مشکلات اساسی مرتبط با اعتبار تقریب جرم موثر، اینکه آیا K عدد کوانتومی خوبی است یا خیر، و مفاهیم فونون ها و اکسیتون ها به تفصیل مورد بررسی قرار خواهند گرفت. بخش قابل توجهی از کتاب به ارائه پیشرفت های اخیر در درک تخریب های ناشی از نور در نیمه هادی های آمورف اختصاص یافته است که به عنوان محدود کننده ترین مشکل در کاربردهای دستگاه در نظر گرفته می شود. این مونوگراف مروری جامع از مطالعات تجربی و نظری در مورد نیمه هادی های آمورف ارائه می دهد.
This book presents the current level of understanding of the structural, electronic and optical properties of amorphous semiconductors. As amorphous materials depart significantly from the crystalline counterparts, some of the basic problems associated with the validity of the effective mass approximation, whether K is a good quantum number, and concepts of phonons and excitons will be addressed in detail. A significant part of the book is devoted to present recent progress made in the understanding of light-induced degradations in amorphous semiconductors, which is regarded as the most limiting problem in device applications. The monograph presents a comprehensive review of both experimental and theoretical studies on amorphous semiconductors.