دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Advanced Ta-Based Diffusion Barriers for Cu Interconnects
دانلود کتاب موانع انتشار پیشرفته مبتنی بر Ta برای اتصالات مس
مشخصات کتاب
Advanced Ta-Based Diffusion Barriers for Cu Interconnects
ویرایش:
نویسندگان: Rene Hubner
سری:
ISBN (شابک) : 1604564512, 9781607416753
ناشر:
سال نشر:
تعداد صفحات: 103
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 2 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 51,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Ta-Based Diffusion Barriers for Cu Interconnects به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب موانع انتشار پیشرفته مبتنی بر Ta برای اتصالات مس نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب موانع انتشار پیشرفته مبتنی بر Ta برای اتصالات مس
در چند سال اخیر، مس به ماده متالیزاسیون استاندارد برای اتصالات درون تراشه ای در ریزپردازنده های با کارایی بالا تبدیل شده است. در مقایسه با آلومینیوم استفاده شده قبلی، مس نه تنها مقاومت کمتری را نشان می دهد، بلکه مقاومت در برابر مهاجرت الکتریکی را نیز به طور قابل توجهی بهبود می بخشد. با این حال، یون های مس در سیلیکون و بسیاری از مواد دی الکتریک تحت تعصب الکتریکی و حرارتی بسیار متحرک هستند. بنابراین، برای جلوگیری از انتشار مس به لایه‌های عایق اطراف اتصالات فلزی، به لایه‌های مانع نیاز است. از آنجایی که ترکیبات مبتنی بر Ta با پایداری حرارتی بالا مشخص می‌شوند، فیلم‌های خالص Ta یا پشته‌های لایه‌ای متشکل از Ta و TaN برای چنین موانعی استفاده می‌شوند. کاهش مداوم ابعاد اتصالات و بنابراین کاهش اساسی در ضخامت لایه مانع همراه با جایگزینی اکسید سیلیکون با دی الکتریک های پیشرفته با k پایین نیاز به بهبود بیشتر عملکرد مانع انتشار دارد. هدف این کتاب انجام بررسی‌های ریزساختار و ویژگی‌های عملکردی برای موانع انتشار پیشرفته و با کارایی بالا (پشته‌های لایه Ta-TaN و تک لایه‌های Ta-Si-N) قبل و بعد از بازپخت برای مقایسه پایداری حرارتی آنها و مکانیسم های شکست مربوطه را بررسی کنید. برای موانع Ta-TaN، این مطالعات برای طیف وسیعی از توالی لایه انجام می شود، در حالی که برای موانع Ta-Si-N انواع فیلم ها با ترکیبات شیمیایی مختلف تجزیه و تحلیل می شوند.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
During the last few years, copper has become the standard metallisation material for on-chip interconnects in high-performance microprocessors. Compared to the previously used aluminium, copper shows not only a lower resistivity, but also significantly improved electromigration resistance. Copper ions, however, are very mobile in silicon and many dielectric materials under electrical and thermal bias. Thus, barrier layers are needed to prevent Cu diffusion into the insulating layers surrounding the metallic interconnects. Since Ta-based compounds are characterized by a high thermal stability, pure Ta films or layer stacks consisting of Ta and TaN are used for such barriers. The continuous scaling down of the interconnect dimensions and, therefore, the essential decrease in the barrier layer thickness coupled with the replacement of silicon oxide by advanced low-k dielectrics demand further improvements of the diffusion barrier performance. It is the aim of this book to carry out microstructure and functional property investigations for advanced, high-performance Tabased diffusion barriers (Ta-TaN layer stacks and Ta-Si-N single layers) before and after annealing to compare their thermal stabilities and to probe the corresponding failure mechanisms. For the Ta-TaN barriers, these studies are undertaken for a range of layer sequences, while for the Ta-Si-N barriers a variety of films with different chemical compositions are analysed.
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Türkler Ansiklopedisi (cilt 14): Osmanlı
دانلود کتاب Der Angriff der Gegenwart auf die übrige Zeit. Drehbuch
