دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Advanced nanoelectronics: post-silicon materials and devices
دانلود کتاب نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه های پس از سیلیکون
مشخصات کتاب
Advanced nanoelectronics: post-silicon materials and devices
ویرایش:
نویسندگان: Hussain. Muhammad Mustafa
سری:
ISBN (شابک) : 9783527343584, 9783527811861
ناشر:
سال نشر: 2019
تعداد صفحات: 278
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 10 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 35,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه های پس از سیلیکون: دستگاه های الکترونیکی، نانوالکترونیک، CMOS، مواد، هاردبک، قطعات و دستگاه ها، مهندسی برق و الکترونیک، الکتریسیته، مواد الکترونیکی، الکتریسیته، مواد الکترونیکی، مهندسی برق و علوم الکترونیک، علوم الکترونیک، علوم مواد و اجزای سازنده، مواد و اجزای سازنده فیزیک، EE60: اجزا و عناصر، MS40: مواد الکترونیکی، PHA0: برق، 1650: جلد سخت، جلد نرم / شیمی
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced nanoelectronics: post-silicon materials and devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه های پس از سیلیکون نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه های پس از سیلیکون
بینش‌های جدیدی را به یک منطقه تحقیقاتی پر جنب و جوش با پتانسیل کاربردی بالا می‌آورد؟ مواد، فیزیک، معماری، و جنبه‌های یکپارچه‌سازی نسل آینده فناوری الکترونیک CMOS در چهار دهه گذشته، ما شاهد رشد فوق‌العاده‌ای در الکترونیک نیمه‌رسانا بوده‌ایم. این رشد توسط فناوری نیمه هادی اکسید فلزی تکمیلی (CMOS) به بلوغ رسیده است. این کتاب جامع گزینه‌های جدید دستگاه را در فناوری CMOS که می‌توان با استفاده از نیمه‌رساناهای غیرسیلیکونی تحقق بخشید، به تصویر می‌کشد. این مقاله ژرمانیوم، مواد III-V، نانولوله‌های کربنی و گرافن را به‌عنوان مواد نیمه‌رسانا برای ترانزیستورهای اثر میدان سه‌بعدی مورد بحث قرار می‌دهد. همچنین مواد غیر متعارف مانند نانوسیم ها و نانولوله ها را پوشش می دهد. علاوه بر این، رله‌های مکانیکی مبتنی بر سوئیچ‌های نانوالکترومکانیکی و الکترونیک تراهرتز مبتنی بر نیمه‌رسانای باند گپ گسترده، به‌عنوان لوازم الکترونیکی ضروری برای ارتباطات و قابلیت‌های محاسباتی پیشرفته مورد بررسی قرار می‌گیرند. نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه های پس از سیلیکون با بحث در مورد آینده CMOS آغاز می شود. این مقاله با پوشش کامل فصل از موارد زیر ادامه می‌دهد: ترانزیستورهای اثر میدان نانوسیم. مواد دو بعدی برای کاربردهای الکترونیکی؛ چالش ها و پیشرفت های ادغام ژرمانیوم در CMOS مدرن. فناوری منطق نانولوله کربنی؛ ترانزیستورهای اثر میدان تونل؛ محاسبات کارآمد انرژی با ظرفیت منفی؛ دستگاه های مبتنی بر چرخش برای منطق، حافظه و معماری های غیر بولی. و خواص تراهرتز و کاربردهای GaN. -رویکردهای جدید را برای دستگاه‌های نانوالکترونیکی پیشرفته و آینده مطرح می‌کند -مواد و معماری‌های نوظهور مانند مواد کانال جایگزین مانند ژرمانیوم، نیترید گالیوم، نانوسیم‌ها/لوله‌های 1 بعدی، گرافن دو بعدی و دیگر مواد دی‌کالکوژنید و فروالکتریک را مورد بحث قرار می‌دهد. فیزیک جدید مانند اسپینترونیک، ظرفیت منفی، محاسبات کوانتومی، و فناوری 3D-IC را بررسی می کند -آخرین پیشرفت ها را در این زمینه برای مرجع آسان گرد هم می آورد - به محققان دانشگاهی و تحقیق و توسعه در نیمه هادی ها این امکان را می دهد که "خارج از جعبه فکر کنند" و فراتر از سیلیس کاوش کنند. منبع مهم برای نسل آینده فناوری الکترونیک CMOS، نانوالکترونیک پیشرفته: مواد و دستگاه‌های پس از سیلیکون برای دانشمندان مواد، فیزیکدانان نیمه هادی، صنایع نیمه هادی و مهندسان برق جذاب خواهد بود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Brings novel insights to a vibrant research area with high application potential?covering materials, physics, architecture, and integration aspects of future generation CMOS electronics technology Over the last four decades we have seen tremendous growth in semiconductor electronics. This growth has been fueled by the matured complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology. This comprehensive book captures the novel device options in CMOS technology that can be realized using non-silicon semiconductors. It discusses germanium, III-V materials, carbon nanotubes and graphene as semiconducting materials for three-dimensional field-effect transistors. It also covers non-conventional materials such as nanowires and nanotubes. Additionally, nanoelectromechanical switches-based mechanical relays and wide bandgap semiconductor-based terahertz electronics are reviewed as essential add-on electronics for enhanced communication and computational capabilities. Advanced Nanoelectronics: Post-Silicon Materials and Devices begins with a discussion of the future of CMOS. It continues with comprehensive chapter coverage of: nanowire field effect transistors; two-dimensional materials for electronic applications; the challenges and breakthroughs of the integration of germanium into modern CMOS; carbon nanotube logic technology; tunnel field effect transistors; energy efficient computing with negative capacitance; spin-based devices for logic, memory and non-Boolean architectures; and terahertz properties and applications of GaN. -Puts forward novel approaches for future, state-of-the-art, nanoelectronic devices -Discusses emerging materials and architectures such as alternate channel material like germanium, gallium nitride, 1D nanowires/tubes, 2D graphene, and other dichalcogenide materials and ferroelectrics -Examines new physics such as spintronics, negative capacitance, quantum computing, and 3D-IC technology -Brings together the latest developments in the field for easy reference -Enables academic and R&D researchers in semiconductors to "think outside the box" and explore beyond silica An important resource for future generation CMOS electronics technology, Advanced Nanoelectronics: Post-Silicon Materials and Devices will appeal to materials scientists, semiconductor physicists, semiconductor industry, and electrical engineers.
