مشخصات کتاب

Advanced Metallization for Future Ulsi: Symposium Held April 8-11, 1996, San Francisco, California, U.S.A.

ویرایش:  
نویسندگان: K. N. Tu,  James W. Mayer,  J. M. Poate,  Lih J. Chen  
سری: Materials Research Society Symposium Proceedings 
ISBN (شابک) : 1558993304, 9781558993303 
ناشر: Materials Research Society 
سال نشر: 1996 
تعداد صفحات: 587 
زبان: English 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 Mb 

در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Metallization for Future Ulsi: Symposium Held April 8-11, 1996, San Francisco, California, U.S.A. به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Metalization Advanced for Future Ulsi: Symposium در 8-11 آوریل 1996، سانفرانسیسکو، کالیفرنیا، ایالات متحده برگزار شد. نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب Metalization Advanced for Future Ulsi: Symposium در 8-11 آوریل 1996، سانفرانسیسکو، کالیفرنیا، ایالات متحده برگزار شد.

اندازه ویژگی های دستگاه های میکروالکترونیک وارد رژیم زیر میکرون عمیق شده است. یکپارچه‌سازی فرآیند و کنترل ویژگی‌های ساختار مدار فلزی چند سطحی نیازمند تعامل و درک بین‌رشته‌ای بین تولید و تحقیق است. برای تحقق چشم انداز ارائه شده در نقشه راه فناوری ملی، باید بر چالش های مادی و فناوری غلبه کرد. به عنوان مثال هادی مس و فلزات مانع آن و عایق های ثابت دی الکتریک پایین مورد بحث هستند. برای پردازش مواد، مسطح‌سازی شیمیایی-مکانیکی و پرکردن در دمای پایین گذرگاه‌های نسبت تصویر بالا چالش‌هایی هستند. برای بررسی مواد، اندازه‌شناسی ساختارهای زیر میکرونی بی‌اهمیت است و برای قابلیت اطمینان مواد، تأثیر متقابل بین نیروهای محرکه چندگانه و پاسخ در ریزساختارهای با ابعاد کوچک جالب است. این موضوعات تمرکز این کتاب از MRS است. موضوعات عبارتند از: نقشه راه، فن آوری و اندازه شناسی ساختار دستگاه های زیر میکرون. مسائل قابلیت اطمینان برای متالیزاسیون مس. Al به هم متصل و از طریق. فلز مانع؛ دی الکتریک های کم پتاسیم سطحی و تماس با Si و نیمه هادی های مرکب.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The feature sizes of microelectronic devices have entered the deep submicron regime. The process integration and structure-properties control of the multilevel metal circuitry demand an interdisciplinary interaction and understanding between manufacturing and research. To realize the vision presented in the national technology road map, material and technological challenges will need to be overcome. For example Cu conductor and its barrier metals and low-dielectric constant insulators are at issue. For materials processing, chemical-mechanical planarization and low-temperature filling of high-aspect ratio vias are challenges. For materials examination, the metrology of submicron structures is nontrivial and for materials reliability, the interplay among multiple driving forces and the response in small-dimension microstructures are intriguing. These issues are the focus of this book from MRS. Topics include: road map, technology and metrology of submicron device structures; reliability issues for Cu metallization; Al interconnects and vias; barrier metal; interlevel low-K dielectrics and contact to Si and compound semiconductors.

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب 50 Successful Harvard Application Essays (4th Edition). With Analysis by the Staff of The Harvard Crimson

دانلود کتاب Η τρίτη επανάσταση τόμος 4

دانلود کتاب Story: Die Prinzipien des Drehbuchschreibens

دانلود کتاب The Baltic States and the Great Powers: Foreign Relations, 1938-1940

دانلود کتاب Europäische Methodenlehre: Handbuch für Ausbildung und Praxis