دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
دانلود کتاب پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته)
مشخصات کتاب
Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics)
ویرایش: 1 نویسندگان: A. Dimoulas, E. Gusev, P.C. McIntyre, M. Heyns سری: ISBN (شابک) : 3540714901, 9783540714903 ناشر: Springer سال نشر: 2007 تعداد صفحات: 397 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 31,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors (Springer Series in Advanced Microelectronics) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب پشته دروازه های پیشرفته برای نیمه هادی های با تحرک بالا (سری اسپرینگر در میکروالکترونیک پیشرفته)
این کتاب یک تک نگاری جامع در مورد پشته های دروازه در فناوری نیمه هادی ارائه می دهد. این آخرین پیشرفت ها و مبانی اصلی را پوشش می دهد و به عنوان یک کار مرجع برای محققان، مهندسان و دانشجویان فارغ التحصیل مفید خواهد بود. قبل از اینکه به فناوری Ge و III-V MOS بادوام نزدیک‌تر شویم، خواننده دید واضحی از آنچه تاکنون انجام شده است، آخرین پیشرفت‌ها و چالش‌های اصلی پیش رو خواهد داشت.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
This book provides a comprehensive monograph on gate stacks in semiconductor technology. It covers the major latest developments and basics and will be useful as a reference work for researchers, engineers and graduate students alike. The reader will get a clear view of what has been done so far, what is the state-of-the-art and which are the main challenges ahead before we come any closer to a viable Ge and III-V MOS technology.
فهرست مطالب
Front Matter....Pages I-XXII
Strained-Si CMOS Technology....Pages 1-19
High Current Drivability MOSFET Fabricated on Si(110) Surface....Pages 21-41
Advanced High-Mobility Semiconductor-on-Insulator Materials....Pages 43-72
Passivation and Characterization of Germanium Surfaces....Pages 73-113
Interface Engineering for High-κ Ge MOSFETs....Pages 115-138
Effect of Surface Nitridation on the Electrical Characteristics of Germanium High-κ/Metal Gate Metal-Oxide-Semiconductor Devices....Pages 139-164
Modeling of Growth of High-κ Oxides on Semiconductors....Pages 165-179
Physical, Chemical, and Electrical Characterization of High-κ Dielectrics on Ge and GaAs....Pages 181-209
Point Defects in Stacks of High-κ Metal Oxides on Ge: Contrast with the Si Case....Pages 211-228
High κ Gate Dielectrics for Compound Semiconductors....Pages 229-256
Interface Properties of High-κ Dielectrics on Germanium....Pages 257-267
A Theoretical View on the Dielectric Properties of Crystalline and Amorphous High-κ Materials and Films....Pages 269-292
Germanium Nanodevices and Technology....Pages 293-313
Opportunities and Challenges of Germanium Channel MOSFETs....Pages 315-332
Germanium Deep-Submicron p -FET and n -FET Devices, Fabricated on Germanium-On-Insulator Substrates....Pages 333-340
Processing and Characterization of III–V Compound Semiconductor MOSFETs Using Atomic Layer Deposited Gate Dielectrics....Pages 341-361
Fabrication of MBE High-κ MOSFETs in a Standard CMOS Flow....Pages 363-374
Back Matter....Pages 375-383
