دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.] نویسندگان: Dharmendra Singh Yadav (editor), Shiromani Balmukund Rahi (editor), Sukeshni Tirkey (editor) سری: ISBN (شابک) : 1032493801, 9781032493800 ناشر: CRC Press سال نشر: 2023 تعداد صفحات: 290 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 38 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای پیشرفته-اثر میدانی: تئوری و برنامه ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
ترانزیستورهای جلوه میدان پیشرفته: تئوری و برنامه ها چشم انداز تازه ای را در مورد طراحی و تجزیه و تحلیل دستگاههای پیشرفته ترانزیستور اثر میدان (FET) و کاربردهای آنها ارائه می دهند. این متن بر پارادایم های اساسی و جدید تأکید می کند که برای پیشرفت آینده در زمینه ترانزیستورها فراتر از مکمل های فلز -اکسید و انسانهای مکمل (CMOS) ضروری است. این کتاب از زبان شفاف و شهودی استفاده می کند تا به تدریج درک خوانندگان در مورد مفاهیم کلیدی FETS ، از جمله تئوری و کاربردهای آنها را افزایش دهد. در تونل سازی fets
• رویکردهای مختلف مدل سازی برای fets
• مطالعه ترانزیستورهای فیلمهای نازک آلی
• برنامه های کاربردی بیوسنسینگ
FETS
ظهور دستگاه های نیمه هادی کم قدرت و پیامدهای مرتبط با آن برای گره های فناوری آینده ، بینش ارزشمندی را در مورد دستگاه های کم مصرف و کاربرد آنها در جنبه های بی سیم ، بیوسنس و مدار فراهم می کند. در نتیجه ، محققان دائماً به دنبال دستگاه های نیمه هادی جدید برای پاسخگویی به تقاضای مصرف کننده هستند. این کتاب جزئیات بیشتری در مورد همه جنبه های فناوری کم قدرت ، از جمله شرایط مداوم و آینده نگر با اصول دستگاه های FET و همچنین برنامه های پیشرفته کم مصرف ارائه می دهد.
Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications offers a fresh perspective on the design and analysis of advanced field-effect transistor (FET) devices and their applications. The text emphasizes both fundamental and new paradigms that are essential for upcoming advancement in the field of transistors beyond complementary metal–oxide–semiconductors (CMOS). This book uses lucid, intuitive language to gradually increase the comprehension of readers about the key concepts of FETs, including their theory and applications.
In order to improve readers’ learning opportunities, Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications presents a wide range of crucial topics:
• Design and challenges in tunneling FETs
• Various modeling approaches for FETs
• Study of organic thin-film transistors
• Biosensing applications of FETs
• Implementation of memory and logic gates with FETs
The advent of low-power semiconductor devices and related implications for upcoming technology nodes provide valuable insight into low-power devices and their applicability in wireless, biosensing, and circuit aspects. As a result, researchers are constantly looking for new semiconductor devices to meet consumer demand. This book gives more details about all aspects of the low-power technology, including ongoing and prospective circumstances with fundamentals of FET devices as well as sophisticated low-power applications.