دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Arthur C. Gossard et al.
سری: International Science Lecture Series Vol. 7
ISBN (شابک) : 0309072654, 9780309072656
ناشر: National Academies Press
سال نشر: 2000
تعداد صفحات: 19
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 1 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Epitaxy for Future Electronics, Optics, and Quantum Physics: Seventh Lecture International Science Lecture Series به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی پیشرفته برای آینده الکترونیک ، اپتیک و فیزیک کوانتوم: سری سخنرانی های بین المللی هفتمین سخنرانی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
کمیسیون برنامه های کاربردی در علوم فیزیکی، بخش مهندسی و علوم فیزیکی، دانشگاه کالیفرنیا در سانتا باربارا، سازماندهی شده توسط شورای ملی تحقیقات و دفتر تحقیقات دریایی توسعه آینده الکترونیک، اپتیک و احتمالاً فیزیک کوانتومی با پیشرفت در مواد اپیتاکسیال هدایت می شود. مهندسی شکاف باند، تکنیکهای پیوند ویفر، و فناوری رشد مجدد همپایه، ترانزیستورها را بسیار فراتر از موانع سرعت فعلی سوق میدهد. رشد اکسید در ساختارهای لایه همپایه و پیشرفتهای جدید در ساختارهای تونلی، توسعه نسل بعدی آرایههای لیزری با کارایی بالا و طرحهای لیزری آبشاری کارآمد را پیش میبرد. رشد کامل نیتریدهای نیمه هادی، الکترونیک آینده را به سمت قدرت های بالاتر و مناسب بودن برای محیط های شدید سوق می دهد و در عین حال انقلابی در نور و نمایشگر ایجاد می کند. فنآوریهای رشد برای ترکیب ذرات فلزی و عناصر مغناطیسی در نیمههادیهای باکیفیت، قطعات الکترواپتیکی فوقسریع را برای کاربردهای شیمیایی و بیولوژیکی و همچنین مغناطیس کنترلشده الکترونیکی برای حافظههای آینده و دستگاههای هیبریدی الکتریکی/مغناطیسی را نوید میدهند. مواد نقطه کوانتومی پیشتاز حوزه الکترونیک سیگنال خواهند بود در حالی که امیدواریم زمینه اثبات و کشف جدیدی برای فیزیک کوانتومی فراهم شود. این مقاله پیشرفت فعلی در این زمینه ها را مورد بحث قرار می دهد.
Applications Commission on Physical Sciences, Division on Engineering and Physical Sciences, University of California at Santa Barbara, Organized by the National Research Council and the Office of Naval Research The future development of electronics, optics, and, quite probably, quantum physics is being driven by advances in epitaxial materials. Band gap engineering, wafer bonding techniques, and epitaxial regrowth technology will push transistors far beyond the present speed barriers. Oxide growth within epitaxial layer structures and new advances in tunnel structures will push the development of the next generation of high-performance laser arrays and of efficient cascade laser designs. Perfection of the growth of semiconductor nitrides will move future electronics to higher powers and to suitability for extreme environments while revolutionizing lighting and display. Growth technologies to incorporate metallic particles and magnetic elements within high-quality semiconductors promise ultrafast electro-optical components for chemical and biological applications as well as electronically controlled magnetism for future memories and electrical/magnetic hybrid devices. Quantum dot materials will lead the field of signal electronics while hopefully providing a new proving and discovery ground for quantum physics. This paper dicusses the current progress in these areas.