برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Advanced Calculations for Defects in Materials: Electronic Structure Methods

دانلود کتاب محاسبات پیشرفته برای نقص در مواد: روش های ساختار الکترونیکی

مشخصات کتاب

Advanced Calculations for Defects in Materials: Electronic Structure Methods

دسته بندی: فیزیک حالت جامد
ویرایش: 1 
نویسندگان: Audrius Alkauskas,  Peter Deák,  Jörg Neugebauer,  Alfredo Pasquarello,  Chris G. Van de Walle,  Editors  
سری:  
ISBN (شابک) : 3527410244, 9783527410248 
ناشر: Wiley-VCH 
سال نشر: 2011 
تعداد صفحات: 394 
زبان: English  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 5 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 28,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب محاسبات پیشرفته برای نقص در مواد: روش های ساختار الکترونیکی: فیزیک، فیزیک حالت جامد، خواص الکترونیکی جامدات

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 14

در صورت تبدیل فایل کتاب Advanced Calculations for Defects in Materials: Electronic Structure Methods به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب محاسبات پیشرفته برای نقص در مواد: روش های ساختار الکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب محاسبات پیشرفته برای نقص در مواد: روش های ساختار الکترونیکی

این کتاب راه‌های بهبود ممکن را با استفاده از روش‌های پیچیده‌تر ساختار الکترونیکی و همچنین اصلاحات و جایگزین‌های مدل ابرسل بررسی می‌کند. به طور خاص، شایستگی عملکردهای ترکیبی و غربال‌شده، و همچنین روش‌های +U در مقایسه با بسیاری از نظریه‌های بدن مختل‌کننده و کوانتومی مونت کارلو ارزیابی می‌شوند. گنجاندن اثرات اکسیتونیک نیز از طریق حل معادله بته-سالپیتر یا با استفاده از DFT وابسته به زمان، بر اساس GW یا محاسبات عملکردی ترکیبی مورد بحث قرار می‌گیرد. توجه ویژه ای به غلبه بر عوارض جانبی مرتبط با مدل سازی اندازه محدود می شود. ویراستاران از مقامات شناخته شده در این زمینه هستند و از پیشرفت های گذشته و همچنین پیشرفت های فعلی بسیار آگاه هستند. به نوبه خود، آنها دانشمندان محترم را به عنوان نویسندگان فصل انتخاب کرده اند تا دیدگاهی تخصصی از آخرین پیشرفت ها ارائه دهند. نتیجه یک نمای کلی روشن از ارتباطات و مرزهای بین این روش ها و همچنین معیارهای گسترده ای است که انتخاب بین آنها را برای یک روش معین تعیین می کند. مسئله. خوانندگان طرح‌های تصحیح مختلفی را برای مدل ابرسلول، توصیفی از گزینه‌های جایگزین با استفاده از تکنیک‌های جاسازی، و همچنین بهبودهای الگوریتمی که امکان پردازش تعداد بیشتری از اتم‌ها را در سطح بالایی از پیچیدگی می‌دهد، پیدا خواهند کرد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book investigates the possible ways of improvement by applying more sophisticated electronic structure methods as well as corrections and alternatives to the supercell model. In particular, the merits of hybrid and screened functionals, as well as of the +U methods are assessed in comparison to various perturbative and Quantum Monte Carlo many body theories. The inclusion of excitonic effects is also discussed by way of solving the Bethe-Salpeter equation or by using time-dependent DFT, based on GW or hybrid functional calculations. Particular attention is paid to overcome the side effects connected to finite size modeling.The editors are well known authorities in this field, and very knowledgeable of past developments as well as current advances. In turn, they have selected respected scientists as chapter authors to provide an expert view of the latest advances.The result is a clear overview of the connections and boundaries between these methods, as well as the broad criteria determining the choice between them for a given problem. Readers will find various correction schemes for the supercell model, a description of alternatives by applying embedding techniques, as well as algorithmic improvements allowing the treatment of an ever larger number of atoms at a high level of sophistication.