دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Magie W.F.
سری:
ISBN (شابک) : 1124034145
ناشر: HUP
سال نشر: 1963
تعداد صفحات: 634
زبان: English
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 9 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب A source book in physics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب منبع کتاب در فیزیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این پایان نامه توسعه اولین دیود بهمنی تک فوتونی CMOS (SPAD) ساخته شده در یک فرآیند تجاری CMOS عمیق زیر میکرون را توصیف می کند. تشخیص تک فوتون اغلب برای اندازهگیریهای نوری با حساسیت بالا و محدوده دینامیکی بالا در کاربردهای مختلف در پزشکی، زیستشناسی، نظامی و پیوندهای ارتباطی نوری ضروری است. آشکارسازهای دیود بهمن تک فوتونی (SPAD) به وسیله انتخابی تبدیل شدهاند و در سالهای اخیر دستاوردهای زیادی داشتهاند. آنها از این نظر منحصر به فرد هستند که اطلاعات دیجیتالی از ورود یک فوتون منفرد که به آشکارساز برخورد می کند را ارائه می دهند، بنابراین ابزار بسیار قدرتمندی هستند که اطلاعات زمان رسیدن و وضوح زمان بسیار مهم است. دقت زمانبندی آشکارساز کنتراست را در تصویربرداری طول عمر فلورسانس و وضوح در کاربردهای محدوده لیزری بهبود میبخشد. به طور سنتی، آشکارسازهای تک فوتون با استفاده از فرآیندهای سفارشی به دلیل شرایطی که دستگاهها تحت آن کار میکنند، ساخته میشوند. به دلیل نیاز به حفظ جریان های بالا و میدان های الکتریکی بالا، فرآیندهای ساخت سفارشی ویژه توسعه یافته اند. این فرآیندهای ساخت مزایای بزرگی مانند نویز کم، راندمان تشخیص بالا، لرزش کم و پاسخ های طیفی متناسب با طول موج های بلندتر دارند. با این حال، این تکنیکهای ساخت اغلب به دلیل افزایش ظرفیت خازنی ناشی از خاموش کردن، شارژ مجدد و مدار پردازش خارج از تراشه نامطلوب هستند، که در نتیجه زمانهای مرگ آشکارساز طولانیتر و سرعت نمونهبرداری کندتر میشود. علاوه بر این، تولید در مقیاس بزرگ و مقیاس پذیری به آرایه ها غیر عملی است. برای غلبه بر این محدودیتها، روندی به سمت استفاده از فناوری نیمهرسانای اکسید فلزی (CMOS) برای ساخت پیکسلها و آرایههای SPAD با مدار مجتمع وجود دارد. اگرچه فنآوریهای تجاری CMOS طبیعتاً عمومی هستند و برای دستگاههای SPAD طراحی نشدهاند، اما همچنان میتوانند مزایای قابلتوجهی را در مناطق خاصی که فرآیندهای سفارشی فاقد آن هستند ارائه دهند. این پایاننامه مدلسازی، شبیهسازی و خصوصیات کامل یک دیود بهمن فوتون منفرد (SPAD) محدود به CMOS STI را توصیف میکند. نرخ نمونه برداری پیشرفته، زمان مرده و عملکرد جیتر مشخص می شود، و دستگاه با ساختارهای حلقه گارد پراکنده سنتی برای SPADهای حالت جامد مقایسه می شود. علاوه بر این، کاربردهای جدید CMOS SPAD برای افزایش سیگنال صوتی-اپتیکی و تبدیل فرکانس بالا 1550 نانومتر توضیح داده شده است. یک سیستم پراکندگی نوری برای توصیف آکوستیک میکروحبابها و ذرات پاسخگو به امواج فراصوت طراحی و توسعه یافته است. علاوه بر این، یک روش جدید از مدولاسیون فلورسانس با استفاده از میکروحبابهای رنگی نشان داده شده است.
This dissertation describes the development of the first CMOS single photon avalanche diode (SPAD) fabricated in a deep-submicron commercial CMOS process. Single photon detection is often necessary for high-sensitivity, high dynamic range time-resolved optical measurements in diverse applications in medicine, biology, military, and optical communication links. Single photon avalanche diode (SPAD) detectors have become the device of choice and have made strong gains in recent years. They are unique in that they provide digital information of the arrival of an individual photon impinging on the detector, thus being a very powerful tool when time-of-arrival information and timing resolution are crucial. Timing precision of the detector will improve contrast in fluorescence lifetime imaging and resolution in laser ranging applications. Traditionally, single photon detectors have been fabricated using custom processes because of the conditions under which the devices operate under. Because of the need to sustain high currents and high electric-fields, special custom fabrication processes have been developed. These fabrication processes have great benefits such as low-noise, high detection efficiencies, low jitter, and tailored spectral responses towards longer wavelengths. However, these fabrication techniques are often undesirable due to increased capacitance from off-chip quenching, recharging, and processing circuitry, resulting in longer detector dead times and slower sampling rates. Furthermore, large-scale production and scalability to arrays is impractical. There has been a trend towards using Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (CMOS) technology for constructing SPAD pixels and arrays with integrated circuitry to overcome these limitations. Though commercial CMOS technologies are by nature, generic, and are not designed for SPAD devices, they can still offer considerable advantages in certain areas where custom processes lack. This dissertation describes the modeling, simulation, and full characterization of a CMOS STI-bounded Single Photon Avalanche Diode (SPAD). State-of-the-art sampling rates, dead-time, and jitter performance are characterized, and the device is compared to traditional diffused-guard ring structures for solid-state SPADs. Further, novel applications of the CMOS SPAD for acousto-optic signal enhancement and frequency up-conversion of 1550nm are described. An optical scatter system for acoustic characterization of ultrasound responsive microbubbles and particles is designed and developed. Further, a novel method of fluorescence modulation using dye-loaded microbubbles is demonstrated.