3-Dimensional Process Simulation

در حالی که شبیه سازی فرآیند نیمه هادی دو بعدی به درجه خاصی از بلوغ دست یافته است، شبیه سازی فرآیند سه بعدی یک زمینه جدید در حال ظهور است که در آن بیشترین تلاش ها به پیشرفت های اساسی ضروری اختصاص دارد. تحقیقات در این زمینه با تقاضای فزاینده برای به دست آوردن اطلاعات قابل اعتماد در مورد هندسه دستگاه و توزیع ناخالص مورد نیاز برای شبیه سازی سه بعدی دستگاه ارتقا می یابد، و به دلیل مشکلات الگوریتمی بزرگ ناشی از رابط های متحرک و نیاز به محدود کردن زمان محاسبات و نیازهای حافظه به چالش کشیده می شود. . یک کارگاه (ارلانگن، 5 سپتامبر 1995) یک انجمن برای بحث در مورد نیازهای صنعتی، مشکلات فنی، و راه حل های در حال توسعه در زمینه شبیه سازی فرآیند نیمه هادی سه بعدی فراهم کرد. ارائه‌های دعوت شده از شرکت‌های نیمه‌رسانای پیشرو و مراکز تحقیقاتی برتر از ژاپن، ایالات متحده آمریکا و اروپا، الگوریتم‌های عددی جدید، مدل‌های فیزیکی و کاربردها را در این زمینه به‌سرعت در حال ظهور تشریح کردند.

Whereas two-dimensional semiconductor process simulation has achieved a certain degree of maturity, three-dimensional process simulation is a newly emerging field in which most efforts are dedicated to necessary basic developments. Research in this area is promoted by the growing demand to obtain reliable information on device geometries and dopant distributions needed for three-dimensional device simulation, and challenged by the great algorithmic problems caused by moving interfaces and by the requirement to limit computation times and memory requirements. A workshop (Erlangen, September 5, 1995) provided a forum to discuss the industrial needs, technical problems, and solutions being developed in the field of three-dimensional semiconductor process simulation. Invited presentations from leading semiconductor companies and research Centers of Excellence from Japan, the USA, and Europe outlined novel numerical algorithms, physical models, and applications in this rapidly emerging field.