Semiconductor Power Devices: Physics, Characteristics, Reliability

این کتاب خواص نیمه هادی، اتصالات pn و پدیده های فیزیکی را برای درک عمیق دستگاه های قدرت مورد بحث قرار می دهد. اصول کار دیودهای قدرت پیشرفته، تریستورها، ماسفت ها و IGBT ها به تفصیل توضیح داده شده و همچنین جنبه های کلیدی فناوری تولید دستگاه های نیمه هادی توضیح داده شده است. ویژگی‌های خاص دستگاه‌ها از مواد نیمه‌رسانای صعودی SiC و GaN مورد بحث قرار می‌گیرند.

این کتاب نسبت به چاپ اول خود پیشرفت های قابل توجهی دارد. این شامل فصل هایی در مورد بسته بندی و قابلیت اطمینان است. فصل فن آوری نیمه هادی ها با در نظر گرفتن اثرات دو بعدی و غلظت بالا به روشی عمیق تر نوشته شده است. فصل IGBT با فن آوری های جدید و ارزیابی پتانسیل آن گسترش یافته است. یک نظریه گسترده از شکست پرتوهای کیهانی ارائه شده است. گستره برخی از روابط فیزیکی مهم که در مقالات اخیر برای استفاده در شبیه سازی دستگاه مورد تردید قرار گرفته است، در این ویرایش دوم پاک شده و اثبات شده است.

This book discusses semiconductor properties, pn-junctions and the physical phenomena for understanding power devices in depth. Working principles of state-of-the-art power diodes, thyristors, MOSFETs and IGBTs are explained in detail, as well as key aspects of semiconductor device production technology. Special peculiarities of devices from the ascending semiconductor materials SiC and GaN are discussed.

This book presents significant improvements compared to its first edition. It includes chapters on packaging and reliability. The chapter on semiconductor technology is written in a more in-depth way by considering 2D- and high concentration effects. The chapter on IGBTs is extended by new technologies and evaluation of its potential. An extended theory of cosmic ray failures is presented. The range of certain important physical relationships, doubted in recent papers for use in device simulation, is cleared and substantiated in this second edition.