Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT

این کتاب عمدتاً بر روی اثرات تشعشع و مدل فشرده ترانزیستورهای دوقطبی ناهمگون سیلیکون-ژرمانیوم (SiGe) (HBT) تمرکز دارد. این مدار معادل سیگنال کوچک SiGe HBT ها را شامل اثرات توزیع شده معرفی می کند و یک تکنیک استخراج تحلیلی مستقیم جدید را بر اساس برازش تابع منطقی غیر خطی پیشنهاد می کند. همچنین اثرات دوز کل تابش شده توسط پرتوهای گاما و یون‌های سنگین و همچنین گذرا تک رویدادی ناشی از میکروپرتوهای لیزر پالس را نشان می‌دهد. اطلاعات ضروری در مورد تکنیک اثرات تابش و مدل SiGe HBTs با استفاده از آن تکنیک را به خوانندگان ارائه می دهد.

This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.