X-Ray Absorption Spectroscopy of Semiconductors

طیف‌سنجی جذب پرتو ایکس (XAS) یک تکنیک قدرتمند است که با آن می‌توان ویژگی‌های ماده را بررسی کرد که به همان اندازه برای فازهای جامد، مایع و گاز قابل استفاده است. نیمه هادی ها مسلماً مرتبط ترین گروه مواد ما از نظر فناوری هستند، زیرا آنها اساس دستگاه های الکترونیکی و فوتونیکی را تشکیل می دهند که اکنون تقریباً در همه جنبه های جامعه ما نفوذ کرده است. موثرترین استفاده از این مواد امروز و فردا مستلزم شناخت دقیق خواص ساختاری و ارتعاشی آنها است. این کتاب از طریق یک سری بررسی جامع، تطبیق پذیری XAS را برای تجزیه و تحلیل مواد نیمه هادی نشان می دهد و فعالیت های تحقیقاتی مهمی را در این زمینه رو به رشد ارائه می دهد. معرفی کوتاهی از این تکنیک، که در درجه اول برای تازه واردان XAS هدف قرار می گیرد، با بیست فصل مستقل به گروه های متمایز از مواد اختصاص داده شده است. موضوعات ناخالصی در نیمه هادی های کریستالی و اختلال در نیمه هادی های آمورف به آلیاژها و مواد نانومتری و همچنین اندازه گیری درجا اثرات دما و فشار را در بر می گیرد. نویسندگان با جمع بندی تحقیقات در زمینه های مربوطه خود، یافته های تجربی مهم را برجسته کرده و قابلیت ها و کاربردهای تکنیک XAS را نشان می دهند. این کتاب یک بررسی جامع و راهنمای مرجع ارزشمند را هم برای تازه واردان XAS و هم برای کارشناسان درگیر در تحقیقات مواد نیمه هادی ارائه می دهد.

X-ray Absorption Spectroscopy (XAS) is a powerful technique with which to probe the properties of matter, equally applicable to the solid, liquid and gas phases. Semiconductors are arguably our most technologically-relevant group of materials given they form the basis of the electronic and photonic devices that now so widely permeate almost every aspect of our society. The most effective utilisation of these materials today and tomorrow necessitates a detailed knowledge of their structural and vibrational properties. Through a series of comprehensive reviews, this book demonstrates the versatility of XAS for semiconductor materials analysis and presents important research activities in this ever growing field. A short introduction of the technique, aimed primarily at XAS newcomers, is followed by twenty independent chapters dedicated to distinct groups of materials. Topics span dopants in crystalline semiconductors and disorder in amorphous semiconductors to alloys and nanometric material as well as in-situ measurements of the effects of temperature and pressure. Summarizing research in their respective fields, the authors highlight important experimental findings and demonstrate the capabilities and applications of the XAS technique. This book provides a comprehensive review and valuable reference guide for both XAS newcomers and experts involved in semiconductor materials research.