Wirkung hochenergetischer Strahlung auf Halbleiterbauelemente

با درجه رشد سریع ادغام مدارهای میکروالکترونیک، آسیب احتمالی ناشی از تشعشعات پرانرژی در حال افزایش است، به ویژه در زمینه فناوری هوافضا، اما همچنین در راکتورهای هسته ای، در تحقیقات مواد و در تشخیص پزشکی و درمان. این کتاب مقدمه‌ای مستدل ارائه می‌کند که از مبانی فیزیکی برهم‌کنش تابش با ماده، از طریق توضیح مکانیسم‌های آسیب تا تشریح حساسیت تابش را شامل می‌شود. تأثیر قوی فناوری مورد استفاده نیز مورد بحث قرار گرفته است، و همچنین امکان محافظت و تأثیر کاهش ساختاری بر حساسیت تشعشع وجود دارد.

Mit dem rasch wachsenden Integrationsgrad mikroelektronischer Schaltungen steigt der mögliche Schaden durch hochenergetische Strahlung, insbesondere im Einsatzbereich von Luft- und Raumfahrttechnik, aber auch bei Kernreaktoren, in der Materialforschung und in der medizinischen Diagnostik und Therapie. Das Buch liefert eine fundierte Einführung, die von den physikalischen Grundlagen der Wechselwirkung von Strahlung mit Materie, über die Erklärung von Schädigungsmechanismen bis hin zur Beschreibung von Strahlungsempfindlichkeit reicht. Der starke Einfluß der verwendeten Technologie wird ebenso behandelt wie die Möglichkeit der Abschirmung und der Einfluß von Strukturverkleinerungen auf die Strahlensensibiltät.