ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Wide bandgap power semiconductor packaging : materials, components, and reliability

دانلود کتاب بسته بندی نیمه هادی قدرت باند گسترده: مواد ، اجزاء و قابلیت اطمینان

Wide bandgap power semiconductor packaging : materials, components, and reliability

مشخصات کتاب

Wide bandgap power semiconductor packaging : materials, components, and reliability

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Woodhead Publishing series in electronic and optical materials. 
ISBN (شابک) : 9780081020944, 0081020945 
ناشر: Woodhead Publishing 
سال نشر: 2018 
تعداد صفحات: 242 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 28 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 54,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب بسته بندی نیمه هادی قدرت باند گسترده: مواد ، اجزاء و قابلیت اطمینان: نیمه هادی های شکاف گسترده، بسته بندی میکروالکترونیک



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 12


در صورت تبدیل فایل کتاب Wide bandgap power semiconductor packaging : materials, components, and reliability به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب بسته بندی نیمه هادی قدرت باند گسترده: مواد ، اجزاء و قابلیت اطمینان نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب بسته بندی نیمه هادی قدرت باند گسترده: مواد ، اجزاء و قابلیت اطمینان

بسته بندی نیمه هادی قدرت باند گپ گسترده: مواد، اجزا و قابلیت اطمینان، چالش های کلیدی را که نیمه هادی های برق WBG در طول یکپارچه سازی با آن مواجه می شوند، از جمله مقاومت در برابر حرارت، اتلاف گرما و تنش حرارتی، کاهش نویز در فرکانس بالا و اجزای گسسته، و چالش های موجود در رابط، برطرف می کند. متالیزاسیون، آبکاری، اتصال و سیم کشی. کارشناسان در این زمینه آخرین تحقیقات را در مورد مواد، اجزاء و روش های قابلیت اطمینان و ارزیابی برای نیمه هادی های قدرت WBG ارائه کرده و راه حل هایی را برای آن پیشنهاد می کنند. راه را برای ادغام هموار کنید.زیرا نیمه هادی های قدرت باندگپ گسترده (WBG)، SiC و GaN، جدیدترین دستگاه های تبدیل برقی امیدوارکننده هستند زیرا ویژگی های عالی آن ها مانند ولتاژ شکست بالا، قابلیت فرکانس بالا و مقاومت در برابر حرارت بالا بیش از 200 درجه سانتیگراد دارند. چالش های کلیدی بسته بندی نیمه هادی توان باندگپ گسترده در سطوح مختلف، از جمله مواد، اجزا و عملکرد دستگاه را بررسی می کند. مشکلات کلیدی مانند مدیریت حرارتی، کاهش نویز، چالش‌ها در اتصالات و زیرلایه‌ها را مورد بحث قرار می‌دهد\"--  بیشتر بخوانید...


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

"Wide Bandgap Power Semiconductor Packaging: Materials, Components, and Reliability addresses the key challenges that WBG power semiconductors face during integration, including heat resistance, heat dissipation and thermal stress, noise reduction at high frequency and discrete components, and challenges in interfacing, metallization, plating, bonding and wiring. Experts on the topic present the latest research on materials, components and methods of reliability and evaluation for WBG power semiconductors and suggest solutions to pave the way for integration. As wide bandgap (WBG) power semiconductors, SiC and GaN, are the latest promising electric conversion devices because of their excellent features, such as high breakdown voltage, high frequency capability, and high heat-resistance beyond 200 C, this book is a timely resource on the topic. Examines the key challenges of wide bandgap power semiconductor packaging at various levels, including materials, components and device performance Provides the latest research on potential solutions, with an eye towards the end goal of system integration Discusses key problems, such as thermal management, noise reduction, challenges in interconnects and substrates"--  Read more...



فهرست مطالب

Machine generated contents note: pt. One Future prospects --
1. Future technology trends / Oliver Hilt --
1.1. Power electronics system development trend --
Impact on next generation power devices --
1.2. Future device concepts: SiC-based power devices --
1.3. GaN-based power devices --
1.4. WBG power devices and their application --
Acknowledgments --
References --
Further reading --
pt. Two Fundamentals and materials --
2. Interconnection technologies / Katsuaki Suganuma --
2.1. Introduction --
2.2. Die-attach technology --
2.3. Wiring --
2.4. Planer and 3D interconnections --
References --
3. Substrate / Hiroyuki Miyazaki --
3.1. Introduction --
3.2. Ceramic substrates for power modules --
3.3. Metallized ceramic substrates --
3.4. Issues in metallized ceramic substrates --
3.5. Conclusions --
References --
pt. Three Components --
4. Magnetic materials / Daichi Azuma --
4.1. Introduction --
4.2. Magnetism in magnetic materials --
4.3. Classification of soft magnetic materials and comparison of magnetic characteristics --
4.4. Application examples and comparisons --
4.5. Future trends 107 References --
pt. Four Performance Measurement and Reliability Evaluation --
5. Technologies of a cooling device for power semiconductor / Shinobu Yamauchi --
5.1. Introduction --
5.2. Characteristics of the SiC/GaN power semiconductors and the issues for cooling --
5.3. Ordinary design --
5.4. The expected technologies for the cooling of the power semiconductor --
5.5. Materials for a cold plate and heat sink --
References --
6. Thermal transient testing / Marta Rencz --
6.1. Overview and introduction to thermal transient measurements --
6.2. Thermal transient measurements --
6.3. The linear theory: Zth curves and structure functions --
6.4. Thermal testing of three terminal devices --
6.5. Further examples for thermal analysis using structure functions --
6.6. Thermal transient measurement of wide band gap semiconductors --
6.7. Summary --
References --
Further reading --
7. Reliability evaluation / Roland Rupp --
7.1. Introduction --
7.2. Gate oxide reliability of SiC MOS structures --
7.3. High temperature reverse bias test --
7.4. High temperature high humidity reverse bias test --
7.5. Temperature cycling --
7.6. Power cycling --
7.7. Repetitive bipolar operation test --
7.8. Further reliability aspects --
7.9. GaN reliability evaluation state of knowledge --
7.10. Summarizing remarks for reliability investigations in wide bandgap devices --
References --
Further reading --
8. Computer-aided engineering simulations / Francesco Iannuzzo --
8.1. Introduction --
8.2. Thermal simulation of power semiconductors --
8.3. Electrothermal optimization --
8.4. Case study --
8.5. Conclusions.




نظرات کاربران