Variation-Aware Advanced CMOS Devices and SRAM

این کتاب مروری جامع از مسائل معاصر در طراحی دستگاه نیمه هادی اکسید فلزی مکمل (CMOS) ارائه می دهد و نحوه غلبه بر تغییرات تصادفی ناشی از فرآیند مانند زبری خط، لبه، نوسان تصادفی، ناخالصی، و تنوع عملکرد کار، و کاربردهای دستگاه های CMOS جدید برای حافظه کش (یا حافظه دسترسی تصادفی استاتیک، SRAM). نویسنده بر درک فیزیکی تغییرات تصادفی ناشی از فرآیند و همچنین معرفی ساختارهای جدید دستگاه CMOS و کاربرد آنها در SRAM تاکید می‌کند.

این کتاب به تشریح مشکلات فنی پیش روی پیشرفته‌ای می‌پردازد. توسعه فن آوری CMOS هنر، به دلیل تأثیر تغییرات تصادفی/ذاتی ناشی از فرآیند در حال افزایش در عملکرد ترانزیستور در گره های فناوری زیر 30 نانومتر. بنابراین، درک فیزیکی تغییرات تصادفی/ذاتی ناشی از فرآیند و راه‌حل‌های فنی برای رسیدگی به این مسائل، نقش کلیدی در توسعه فناوری جدید CMOS ایفا می‌کند. هدف این کتاب این است که درک عمیقی از منابع اصلی تغییرات تصادفی و توصیف هر منبع تنوع تصادفی به خواننده ارائه دهد. علاوه بر این، این کتاب طرح‌های مختلف دستگاه‌های CMOS را برای غلبه بر تغییرات تصادفی در فناوری CMOS آینده، با تأکید بر کاربردهای SRAM ارائه می‌کند.

This book provides a comprehensive overview of contemporary issues in complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) device design, describing how to overcome process-induced random variations such as line-edge-roughness, random-dopant-fluctuation, and work-function variation, and the applications of novel CMOS devices to cache memory (or Static Random Access Memory, SRAM). The author places emphasis on the physical understanding of process-induced random variation as well as the introduction of novel CMOS device structures and their application to SRAM.

The book outlines the technical predicament facing state-of-the-art CMOS technology development, due to the effect of ever-increasing process-induced random/intrinsic variation in transistor performance at the sub-30-nm technology nodes. Therefore, the physical understanding of process-induced random/intrinsic variations and the technical solutions to address these issues plays a key role in new CMOS technology development. This book aims to provide the reader with a deep understanding of the major random variation sources, and the characterization of each random variation source. Furthermore, the book presents various CMOS device designs to surmount the random variation in future CMOS technology, emphasizing the applications to SRAM.