Ultra-Fast Silicon Bipolar Technology

از زمانی که اولین ترانزیستور دوقطبی در سال 1947 مورد بررسی قرار گرفت، تلاش‌های زیادی برای دستگاه‌های نیمه‌رسانا انجام شده است. رقابت قوی جهانی در ساخت اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی حافظه های توسعه ترانزیستور (MOSFET) سرعت در فناوری نیمه هادی ها را تسریع کرده است. ترانزیستورهای دوقطبی به دلیل عملکرد با سرعت بالا نقش اصلی را ایفا می کنند. زمان تأخیر حدود 20 ثانیه در هر دروازه قبلاً به دست آمده است. به دلیل این پیشرفت سریع فناوری، پیش بینی آینده با قطعیت دشوار است. در سال 1987 یک جلسه ویژه در مورد ترانزیستورهای دوقطبی فوق سریع در کنفرانس تحقیقاتی دستگاه های حالت جامد اروپا برگزار شد. هدف آن جمع بندی آخرین تحولات و بحث در مورد آینده ترانزیستورهای خورشیدی دوطرفه بود. این کتاب بر اساس آن جلسه است، اما شامل مشارکت های دیگر شرکت کنندگان نیز می شود، به طوری که طیف گسترده ای از مطالب به روز ارائه می شود. از اطلاعات تاریخی این اطلاعات می توان چندین نتیجه گرفت: اولین و مهمترین آنها پتانسیل بسیار زیادی برای پیشرفت آینده است که هنوز در این زمینه وجود دارد. این پیشرفت با حرکت به سمت سرعت بالاتر و مصرف توان کمتر مورد نیاز برای سیستم‌های تک تراشه پیچیده، و همچنین با چندین پیاده‌سازی تکنولوژیکی بتن برای تحقق این موارد مشخص می‌شود که بخش بزرگی از این پتانسیل می‌تواند باشد. نتیجه‌گیری دوم با تکنیک‌ها و پیکربندی‌های نسبتاً پیچیده به‌خوبی برای انتقال بدون عارضه به ساخت مناسب است.

Since the first bipolar transistor was investigated in 1947, enormous efforts have been devoted to semiconductor devices. The strong world­ wide competition in fabricating metal-oxide-semiconductor field-effect of develop­ transistor (MOSFET) memories has accelerated the pace ments in semiconductor technology. Bipolar transistors play a major role due to their high-speed performance. Delay times of about 20 ps per gate have already been achieved. Because of this rapid technologi­ cal progress, it is difficult to predict the future with any certainty. In 1987 a special session on ultrafast bipolar transistors was held at the European Solid-State Device Research Conference. Its aim was to sum­ marize the most recent developments and to discuss the future of bip­ olar transistors. This book is based on that session but also includes contributions by other participants, such that a broad range of up-to­ is presented. Several conclusions can be drawn from date information this information: the first and most important is the very large poten­ tial for future progress still existing in this field. This progress is char­ acterized by the drive towards higher speed and lower power con­ sumption required for complex single-chip systems, as well as by sev­ eral concrete technological implementations for fulfilling these dem­ is that a large part of this potential can be ands. The second conclusion realized by rather unsophisticated techniques and configurations well suited to uncomplicated transfer to fabrication.