دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: ابزار ویرایش: نویسندگان: Chih-Hang Tung, George T T Sheng, Chih-Yuan Lu سری: ISBN (شابک) : 0471457728, 9780471457725 ناشر: John Wiley سال نشر: 2003 تعداد صفحات: 670 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 26 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب اطلس فناوری نیمه هادی ULSI: ابزار دقیق، نیمه هادی ها
در صورت تبدیل فایل کتاب ULSI semiconductor technology atlas به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اطلس فناوری نیمه هادی ULSI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
بیش از 1100 تصویر TEM علم ULSI را نشان می دهد. رشد طبیعی VLSI (ادغام در مقیاس بسیار بزرگ)، ادغام در مقیاس بسیار بزرگ (ULSI) به تراشه های نیمه هادی با بیش از 10 میلیون دستگاه در هر تراشه اشاره دارد. اطلس فناوری نیمه هادی ULSI که توسط سه پیشگام مشهور در زمینه خود نوشته شده است، از مثال ها و میکروگراف های TEM (میکروسکوپ الکترونی انتقالی) برای توضیح و نشان دادن فناوری های فرآیند ULSI و مشکلات مرتبط با آنها استفاده می کند. اولین کتاب موجود در این زمینه که با استفاده از تصاویر TEM نشان داده می شود، ULSI است. اطلس فناوری نیمه هادی به طور منطقی به چهار بخش تقسیم می شود: * قسمت اول شامل مقدمه های اساسی در فرآیند ULSI، تجزیه و تحلیل ساخت دستگاه، و آماده سازی نمونه TEM است * قسمت دوم بر روی ماژول های کلیدی ULSI تمرکز دارد - کاشت یون و نقص، دی الکتریک ها و ساختارهای جداسازی، سیلیسیدها. /سالیکش ها و متالیزاسیون * بخش سوم دستگاه های یکپارچه را بررسی می کند، از جمله DRAM کامل مسطح، DRAM سلول انباشته، و DRAM سلول ترانچ، و همچنین SRAM به عنوان نمونه هایی برای یکپارچه سازی و توسعه فرآیند * قسمت IV بر کاربردهای ویژه، از جمله TEM در تجزیه و تحلیل شکست پیشرفته تأکید دارد. TEM در توسعه بسته بندی پیشرفته و مطالعات UBM (Under Bump Metallization) nd TEM با وضوح بالا در میکروالکترونیک این راهنمای نوآورانه همچنین به مهندسان و مدیران صنعت میکروالکترونیک و همچنین دانشجویان فارغ التحصیل این موارد را ارائه می دهد: * بیش از 1100 تصویر TEM برای نشان دادن علم ULSI * مقدمه ای تاریخی بر فناوری پوشش تکامل مشکلات و مسائل اساسی فرآیند ULSI* بحث در مورد TEM در سایر دستگاه ها و مواد میکروالکترونیک پیشرفته، مانند حافظه های فلش، SOI، دستگاه های SiGe، MEMS و CD-ROM ها
More than 1,100 TEM images illustrate the science of ULSIThe natural outgrowth of VLSI (Very Large Scale Integration), Ultra Large Scale Integration (ULSI) refers to semiconductor chips with more than 10 million devices per chip. Written by three renowned pioneers in their field, ULSI Semiconductor Technology Atlas uses examples and TEM (Transmission Electron Microscopy) micrographs to explain and illustrate ULSI process technologies and their associated problems.The first book available on the subject to be illustrated using TEM images, ULSI Semiconductor Technology Atlas is logically divided into four parts:* Part I includes basic introductions to the ULSI process, device construction analysis, and TEM sample preparation * Part II focuses on key ULSI modules--ion implantation and defects, dielectrics and isolation structures, silicides/salicides, and metallization * Part III examines integrated devices, including complete planar DRAM, stacked cell DRAM, and trench cell DRAM, as well as SRAM as examples for process integration and development * Part IV emphasizes special applications, including TEM in advanced failure analysis, TEM in advanced packaging development and UBM (Under Bump Metallization) studies, and high-resolution TEM in microelectronics This innovative guide also provides engineers and managers in the microelectronics industry, as well as graduate students, with:* More than 1,100 TEM images to illustrate the science of ULSI* A historical introduction to the technology as well as coverage of the evolution of basic ULSI process problems and issues* Discussion of TEM in other advanced microelectronics devices and materials, such as flash memories, SOI, SiGe devices, MEMS, and CD-ROMs
fmatter......Page 1
ch1......Page 10
ch2......Page 44
ch3......Page 69
ch4......Page 98
ch5......Page 148
ch6......Page 185
ch7......Page 262
ch8......Page 293
ch9......Page 349
ch10......Page 370
ch11......Page 404
ch12......Page 450
ch13......Page 480
ch14......Page 530
ch15......Page 562
ch16......Page 613
index......Page 651