مشخصات کتاب
Tunnel field-effect transistors (TFET) : modelling and simulations
ویرایش: 1
نویسندگان: Kumar. Mamidala Jagadesh, Pandey. Pratyush, Vishnoi. Rajat
سری:
ISBN (شابک) : 9781119246282, 111924630X
ناشر: Wiley
سال نشر: 2016
تعداد صفحات: 203
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 5 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 31,000
کلمات کلیدی مربوط به کتاب ترانزیستورهای اثر میدان تونلی (TFET): مدل سازی و شبیه سازی: ترانزیستورهای اثر میدان تونل، مدارهای مجتمع، طراحی و ساخت، مواد نانوساختار، مدارهای مجتمع ولتاژ پایین، فناوری و مهندسی، الکترونیک، نیمه هادی ها
میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 13
در صورت تبدیل فایل کتاب Tunnel field-effect transistors (TFET) : modelling and simulations به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب ترانزیستورهای اثر میدان تونلی (TFET): مدل سازی و شبیه سازی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستورهای اثر میدان تونلی (TFET): مدل سازی و شبیه سازی
"این کمک مطالعه یک مرحله ای برای TFET ها برای کسانی است که
مطالعه خود را در مورد TFET ها آغاز می کنند و همچنین به عنوان
راهنمایی برای کسانی است که می خواهند مدارهایی را با استفاده از
TFET طراحی کنند. این کتاب فیزیک عملکرد TFET ها و مدل سازی آنها
را پوشش می دهد. به منظور طراحی مدار و شبیه سازی مدار. با یک بحث
مختصر در مورد اصول اولیه مکانیک کوانتومی شروع می شود و سپس به
فیزیک می پردازد
پشت
مکانیک کوانتومی پدیده های تونل زنی باند به باند. در ادامه
کارکرد پایه TFET ها و پیکربندی های ساختاری مختلف آن ها مورد
مطالعه قرار می گیرد.پس از توضیح عملکرد TFET ها، این کتاب
رویکردهای مختلفی را که توسط محققان برای توسعه مدل های جریان
تخلیه برای TFET ها استفاده می شود، تشریح می کند. در نهایت، برای
کمک به محققان جدید در زمینه TFET ها، این کتاب فرآیند انجام شبیه
سازی عددی TFET ها با استفاده از TCAD را شرح می دهد.شبیه سازی
های عددی ابزار مفیدی برای مطالعه رفتار هر وسیله نیمه هادی بدون
وارد شدن به فرآیند پیچیده ساخت هستند. و خصوصیات\"--
بیشتر
بخوانید...
چکیده:
تحقیقات در مورد ترانزیستورهای اثر میدان تونل (TFET) در زمان
های اخیر به طور قابل توجهی توسعه یافته است که نشان دهنده
اهمیت آنها در مدارهای مجتمع کم توان است. < span
class='showMoreLessControlElement'>بیشتر بخوانید...
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
"This one-stop study aid to TFETs is aimed at those who are
beginning their study on TFETs and also as a guide for those
who wish to design circuits using TFETs. The book covers the
physics behind the functioning of the TFETs and their modelling
for the purpose of circuit design and circuit simulation. It
begins with a brief discussion on the basic principles of
quantum mechanics and then builds up to the physics
behind the quantum
mechanical phenomena of band-to-band tunnelling. This is
followed by studying the basic functioning of the TFETs and
their different structural configurations. After explaining the
functioning of the TFETs, the book describes different
approaches used by researchers for developing the drain current
models for TFETs. Finally, to help the new researchers in the
area of TFETs, the book describes the process of carrying out
numerical simulations of TFETs using TCAD. Numerical
simulations are helpful tools for studying the behaviour of any
semiconductor device without getting into the complex process
of fabrication and characterization"-- Read
more...
Abstract:
Research into Tunneling Field Effect Transistors (TFETs) has
developed significantly in recent times, indicating their
significance in low power integrated circuits. Read more...
نظرات کاربران