برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Transport in Nanostructures

دانلود کتاب حمل و نقل در نانوساختارها

مشخصات کتاب

Transport in Nanostructures

دسته بندی: فناوری نانو
ویرایش: 2nd ed 
نویسندگان: David K. Ferry,  Stephen M. Goodnick,  Jonathan Bird  
سری:  
ISBN (شابک) : 9780521877480, 0521877482 
ناشر: Cambridge University Press 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 671 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 37,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب حمل و نقل در نانوساختارها: رشته های ویژه، نانومواد و فناوری نانو، فیزیک سیستم های مقیاس نانو

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 8

در صورت تبدیل فایل کتاب Transport in Nanostructures به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب حمل و نقل در نانوساختارها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب حمل و نقل در نانوساختارها

همانطور که اندازه دستگاه روی تراشه ها کوچک می شود، فرضیات قبلی در مدل سازی انتقال الکترون و حفره شروع به از بین رفتن می کنند. فری به بررسی عواقب متعدد این موضوع می پردازد. اکنون که می‌توانیم از لیتوگرافی و تکنیک‌های مرتبط برای ساخت دستگاه‌های کمتر از ۰.۱ میکرون استفاده کنیم، اثرات کوانتومی می‌توانند ایجاد شوند.\r\rاینها ممکن است شامل یک گاز الکترونی دو بعدی باشند، که در آن یک بعد فضایی اساساً توسط ساختار ناهمگون سرکوب می شود. شاید زیر دروازه یک ترانزیستور تجربی. زمینه های دیگر ممکن است نوسانات در توزیع اتمی باشد که توسط یک الکترون یا حفره انتقالی مشاهده می شود. این ممکن است به طور مهمی شامل نوسانات در نحوه چیدمان مواد ناخالص باشد. منجر به مناطقی با رسانایی متفاوت می شود.\r\rفری این و سایر پدیده‌ها مانند سیم‌ها و نقاط کوانتومی را در سطحی که برای دانشجوی فارغ‌التحصیل یا محقق مناسب است، بررسی می‌کند.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

As device sizes shrink on chips, earlier assumptions made in modelling electron and hole transport are starting to break down. Ferry explores the many consequences of this. Now that we can use lithography and associated techniques to make devices less than 0.1 micron, quantum effects can arise. These might include a two dimensional electron gas, where one spatial dimension is essentially suppressed by the heterostructure. Perhaps under the gate of an experimental transistor. Other contexts might be fluctuations in the atomic distribution seen by a transport electron or hole. This might importantly include fluctuations in how dopants are arranged. Leading to regions of differing conductance. Ferry investigates these and other phenomena like quantum wires and dots, at a level well placed for the graduate student or researcher.